Курсовая работа: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

lб ≥ 14 + 4·6 + 2∙0,5 + 0,5 = 39,5 мкм.

Примем lб = 40 мкм.

Ширина области базы рассчитывается по формуле 2.5

bб ≥ 14 + 2·6 + 2∙0,5 + 0,5 = 27,5 мкм.

Примем bб = 28 мкм.

Длина окна контакта к базовой области равна минимальному размеру окна в окисле lбк = dmin = 6 мкм, ширина

bбк ≤ bб – 2dmin + 2Δфш + Δсовм = 28 – 12 + 1 + 0,5 = 15,5 мкм.

Примем bбк = 14 мкм.

a ≥ hэс+ xjкб+2Δфш + Δсовм = 8 + 2,5 + 1 + 0,5 = 12 мкм,

с hэс+xjэб+2Δфш + Δсовм = 8 + 1,7 + 1 + 0,5 = 11,2 мкм.

Примем с = 12 мкм.

f xiкб+xjэб+2Δфш + Δсовм = 2,5 + 1,7 + 1 + 0,5 = 5,7 мкм.

Примем f = 6 мкм.

= 28 + 24 + 1 + 0,5 = 53,5 мкм.

Примем bк = 54 мкм.

Геометрические размеры подконтактной области коллектора рассчитываются по формулам

= 18 + 1 + 0,5 = 19,5 мкм.

Примем lкк = 18 мкм.

= 54 – 24 + 1 + 0,5 = 31,5 мкм.

Примем bкк = 30 мкм.

= 40 + 18 + 12 + 12 + 6 + 1 +0,5 =

= 89,5 мкм,

Примем lк = 90 мкм.

3.2 Расчет геометрических размеров диффузионного резистора

В схеме широкополосного усилителя (Приложение А) имеются 9 резисторов с разбросом номиналов от 700 Ом до 5,4 кОм и различной мощностью рассеивания. Наибольшее распространение получили диффузионные резисторы на основе базовой диффузии.

Так как все резисторы выполнены на одном слое, то нет необходимости приводить подробные расчеты каждого резистора. Для примера, рассчитаем резистор R1 и проведем расчет его геометрических размеров по методике описанной в пункте 2.2, при Rs = 250 Ом/□.

Расчет начинаем с определения коэффициента формы:

Так как Кф > 1, то расчет начинаем с расчета ширины резистора - b.