Курсовая работа: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

19). Число внешних выводов в схеме, а также порядок расположения и обозначения контактных площадок выводов микросхем на кристалле должны соответствовать выводам корпуса.

20). Коммутация элементов микросхем должна иметь минимальное количество пересечений. Если полностью избежать пересечений не удается, их можно осуществить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнительные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя диффузионные перемычки и создавая дополнительные слои изоляции между пересекающимися проводниками. При разработке топологической схемы необходимо стремиться к получению минимально возможной длины межэлектродных соединений.

21). Когда наличие паразитных емкостей не существенно, резисторы могут быть размещены в тех же изолированных областях, что и транзисторы. При этом не имеет значения, должны ли они соединяться между собой. Расстояние между резисторами должно быть не менее 10 мкм. Коллектор транзистора и резистор должны располагаться на расстоянии не менее 12 мкм.

22). Расстояние между диффузионной базовой областью и контактом коллектора может быть увеличено, чтобы провести одну или две металлические дорожки между контактами коллектора и базы. Это можно сделать, так как коллекторный ток главным образом протекает от базы через скрытый слой к коллекторному контакту. Однако чем больше расстояние между базой и коллектором, тем больше паразитное сопротивление и паразитная емкость коллектора. Металлический проводник не может быть размещен между контактами базы и эмиттера за счет удлинения диффузионного базового слоя.

23). Наиболее важным правилом при разработке топологии является минимизация площади, занимаемой микросхемой. Это позволяет увеличить число микросхем, изготовляемых на пластине с заданным диаметром. Кроме того, необходимо учесть, что вероятность случайных дефектов в полупроводниковом кристалле возрастает с увеличением площади. Размеры микросхем зависят от числа изолирующих областей и их площадки, а также от суммарной площади соединительной металлизации, включая площадь, занимаемую контактными площадками.

4.1 Проектирование топологии ИМС широкополосного усилителя

Исходными данными являются принципиальная электрическая схема (Приложение А) геометрические размеры элементов. На этом этапе решаются такие вопросы, как определение необходимого числа изолированных областей, минимизация возможного числа пересечений коммутационных шин элементов и длины шин.

Все транзисторы данной ИМС выполнены по стандартной конфигурации рис.1.2.

Транзисторы VT3, VT5 исполняют роль дифференциального усилителя нагруженного активной нагрузкой выполненной на транзисторах VT2, VT4 и резисторы R2, R4. Диоды D1, D2 включенные последовательно задают напряжение смещения на базе транзисторов. Транзисторы VT1, VT7 включенные по схеме с общим эмиттером обеспечивают большое входное сопротивление данной схемы. Оконечный каскад выполнен на транзисторах VT8, VT9 и резисторах R6 – R9.

Резисторы R1 – R5, R6, R8 – R9 обладают довольно большим номиналом, следовательно, имеют сложную форму, т.е. выполнены в виде меандра. Резисторы помещены в два изолирующих кармана, и подключается к самому высокому потенциалу схемы, т.е. к коллекторному источнику питания.

При проектировании топологии усилителя использовалось один слой металлизации.

Для уменьшения паразитной емкости между контактными площадками и подложкой под каждой из них создана изолированная область.

Топологический чертеж принципиальной схемы приведен в Приложении Б.

Заключение

На основе исходных данных приведенных в задании была разработана библиотека элементов и рассчитаны геометрические размеры элементов. На основе рассчитанных элементов был разработан эскиз топологии ИМС широкополосного усилителя.

Список использованных источников

1.Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем Мн.: Высш. шк. 1982

2.Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование: Учеб. пособие для вузов. Коледов Л.А., Волков В.А., Докучаев Н.Н. и др.; Под ред. Л.А. Коледлва.-М.: Высш. шк., 1984. 231с., ил.

3.Березин А.С., Мочалкина О.В. Технология и конструирование интегральных схем М. Радио и связь 1983 г

4.Курносов. А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых и интегральных микросхем – М.: Высшая школа, 1986 г. – 368 с.

Приложение А