Курсовая работа: Перетворювач СКЗ змінної напруги
с) Метод Сімпсона:
4 Розробка апаратної частини.
На даному етапі проектування особливу увагу слід приділити вибору таких основних компонентів пристрою як : АЦП, МП комплект , постійна память , оперативна память.
При виборі АЦП основним критерієм буде забезпечення необхідної точності перетворення аналогової величини в код.
Мінімальну кількість розрядів АЦП обчислюють за наступною формулою :
N = I*log2 (100/dкб )
Де dкб – середньоквадратична похибка квантування .
В наступному випадку маємо :
N = ]log2 (100/0.05)[= 11 ;
Крім необхідної кількості розрядів АЦП повинен мати статичну і динамічну похибки перетворення .
Цим вимогам задовольняє високоточний дванадцятирозрядний АЦП послідовного наближення К 1108 ПВ2
Коротка характеристика мікросхеми К 1108 ПВ2 :
- нелінійність dі = ± 2МР (молодших розрядів) ;
- диференційна нелінійність dді = 1 (МР)
- час дискретизації 2,6 мкс ;
- напруга внутрішнього джерела опорної напруги 2,6 В;
- струми споживання Ісс1 =60 мА ; Ісс2 =150 мА.
Центральний МП буде виконувати наступні функції :
1) Управління роботою пристрою;
2) Обробка даних, знятих з АЦП, з метою обчислення СКЗ напруги;
3) Запам’ятовування 2500 попередніх вимірів .
Враховуючи низьку частоту вхідного аналогового сигналу особливих вимог до швидкодії МП не ставиться. Пристрій в цілому повинен характеризуватися по таким параметрам :
а) простотою реалізації ;
б) простотою програмування;
в) дешевизною виконання;
г) малогабаритністю конструкції;
д) можливістю перепрограмування на виконання іншої задачі.
Взявши до уваги вище перелічені вимоги , а також з інших поглядів доцільним бачиться використання МП комплекту КР 580. Центральний процесор на базі МП КР580ИК80А , має 8-розрядну шину даних , 16 – розрядну шину адрес та 5- розрядну шину управління.
Спряження 12-розрядного АЦП та 8 розрядної системної ШД здійснюється за допомогою двох 8-розрядних регістрів памяті КР580ИР82. Таким чином 12- розрядний код АЦП розбивається на 2 слова по 8 біт.
Орієнтований розрахунок об”єму необхідної пам”яті.