Курсовая работа: Перетворювач СКЗ змінної напруги

В ROM зберігається код програми , тому і об”єм постійної памяті і буде визначатись довжиною основної програми та всіх інших підпрограм.

Команди мови Асемблер мають довжину 1-3 байти. Знаючи сумарну кількість команд основної програми MAIN та памяті підпрограм (див розділ 6)

Можна обчислити об”єм необхідної ROM.

ROM=MAIN_LONG*3+SQRT_LONG*3+SUM_LONG*3+POWER_LONG*3+DIVISION_LONG*3+MAKE_SURE_LONG*3

При чому :

MAIN_LONG– кількість команд в основній програмі;

SQRT_LONG – кількість в програмі SQRT;

SUM_LONG – кількість в підпрограмі SUM;

POWER_LONG – кількість в підпрограмі POWER;

DIVISION_LONG – кількість в підпрограмі DIVISION;

MAKE_SURE_LONG – кількість в підпрограмі MAKE_SURE.

Підставивши чисельні значення дістанемо :

ROM=39*3+300*3+20*3+70*3+70*3+30*3=1587 байт

При виборі ВІС памяті ROM необхідно також врахувати те, щоб вона мала 8-розрядну шину даних (для спряження з МП комплектом , КР 580)

Враховуючи вище вказані вимоги до об”єму та способу спряження ROM доцільним є використання постійної памяті на базі ВІС К573РФ8

Коротка характеристика ВІС К573РФ8

- ємність 2048 (2 кБ);

- час вибірки адреси 350 мс;

- струм споживання 100 мА;

- час зберігання інформації при відключеному живленні =2500 год;

- тип корпусу 2121 , 28-8.

Оперативна память (RAM) використовується для тимчасового зберігання проміжних та кінцевих результатів роботи програми , а також для запам’ятовування оперативної інформації (стек).

В даному пристрої в RАM записується 2500 значень вимірів , кожне з яких має довжину 2 байти. Крім цього в оперативну память записується М двохбайтових вибірок (за період Т вхідної напруги U(t)). При частоті дискретизації АЦП F_д =10 кГц і частоті вхідної напруги f=2.0 Гц , маємо М=F_д /f=10/2.0=5

Це число задовільняє співвідношенню теореми Котельникова. Під стек і проміжні результати обчислень виділимо 300 байт . Тоді сумарний об”єм RAM складає :

2500*2+5*2+300=5310 байт

Як і в ROMшина данихRAM повинна мати 8 розрядів. Враховуючи це , а також об”єм RAMбудуємо оперативну пам”ять на базі трьох ВІС К537РУ8

Коротка характеристика мікросхеми К537 РУ8.

- має тристабільний вхід, в режимах зберігання і запису керується трьома сигналами

- обмін інформацією відбувається по двохнаправленій шині даних;