, , , ;

Величину напряжения на коллекторе вычислим по формуле:

U_кгр = ξ_гр ×E_К = 0,957 × 17 = 16,262 В,

Проверим, не превышает ли напряжение на коллекторе предельно допустимого для данного транзистора:

U_{к макс} =E_К + U_кгр = 17 + 16,262 = 33,262 В < 36 В (U_{кэ доп} = 36 В),

Рассчитаем амплитуду первой гармоники коллекторного тока:

,

Постоянная составляющая коллекторного тока находится из соотношения:

, (I_{к0 доп} = 3 А)

Максимальное значение коллекторного тока составляет:

, (I_{к мах доп} = 7 А)

Номинальное сопротивление коллекторной нагрузки:

Потребляемая мощность находится по формуле:

P₀ = E_К ×I_к0 = 17 × 0,978 = 16,667 Вт,

Рассчитаем КПД:

,

Вычислив разность между потребляемой и колебательной мощностью, найдем мощность, рассеиваемую на транзисторе.

Р_рас =Р₀ - Р₁ = 16,667 - 12,5 = 4,121 Вт

2. Расчет базовой цепи

Входную цепь транзистора с ОЭ рассчитываем по схеме расположенной ниже:

Коэффициент ослабления тока базы при ведении ОС вычисляется по формуле:

,

Амплитуда базового тока определяется соотношением:

= 2,18 А

Максимальное значение напряжение на эмиттерном переходе находится как:

(U_{бэ доп} = 4 В),