Курсовая работа: Проектирование усилителя низкой частоты

Допустимая нестабильность каскада, обусловленная изменением I0к от температуры:

где ∆IT = Iк0 t – I к 0 25°С – приращение обратного тока коллектора;

Iк0 t = I к 0 25° · eγ1∆tn,

где γ1 = 0,11град-1 – температурный коэффициент обратного коллекторного тока для кремниевых транзисторов;

∆tn = tmax – 20 = 80 – 25 = 50(°C)

– температура перегрева коллекторного перехода.

Iк0t = 0,001 · e0,11· 50 ≈ 0,245(A);

∆IT = 0,245 – 0,001 = 0,244(A);

2.2 Расчет элементов цепи смещения

Путем переноса точек А0 и А1, с выходной характеристики на входную, снятую при |Uкэ| > 0 (приложение), определяются следующие параметры:

U0б = 0,64 В – напряжение на базе транзистора в режиме покоя;

Uбm = 0,18 В – амплитуда переменной составляющей базового напряжения;

Uбmax = 0,82 В – максимальное напряжение на базе;

I0б = 10 мА – ток покоя базы;

Iбm = 172 мА – амплитуда переменной составляющей базового тока;

Iбmax = 182 мА – максимальное значение тока базы.

Напряжение в средней точке базового делителя в режиме покоя:

Постоянная составляющая точка через резистор R2:

Iдел = (0,5÷2,0)Iбm = 2∙172∙10-3 ≈ 344(мА).

Сопротивления R2 и R1 в цепи делителя:

Принимаем R1 = 2 Ом; R2 = 30 Ом.

Сопротивление в базовой цепи каскада

Фактический коэффициент нестабильности каскада: