Курсовая работа: Проектирование усилителя низкой частоты
- сопротивление базового слоя;
где Uбэ = 0,619 В находим по входным характеристикам при I0б = 0,2 мА и
Uкэ = 5 В из справочника [3].
Тогда:
(Oм).
Напряжение в средней точке базового делителя в режиме покоя:
U0д = URэ + Uбэ = 0,3∙10,8 + 0,619 = 3,86 (В).
Сопротивления резисторов R1 и R2 делителя:
Принимаем R1 = 26 кОм; R2 = 39 кОм.
Входное сопротивление каскада с общим эмиттером:
.
Поскольку входное сопротивление каскада с общим эмиттером меньше внутреннего сопротивления источника сигнала, то входном каскаде будет использована схема с общим коллектором.
Ток покоя базы:
Постоянная составляющая тока делителя:
Входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером:
где
где Uбэ = 0,619 В находим по входным характеристикам при I0б = 0,2 мА и
Uкэ = 5 В из справочника [3].
Тогда:
Напряжение в средней точке базового делителя в режиме покоя:
U0д = URэ + Uбэ = 0,3·10,8 + 0,619 = 3,86 (В).
Сопротивления резисторов R1 и R2 делителя:
