Курсовая работа: Проектирование усилителя низкой частоты

;

Тогда:

Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

3.3 Расчет параметров цепи стабилизации режима и цепи смещения

Коэффициент передачи тока эмиттера:

Сопротивление эмиттерной цепи:

Принимаем Rэ = 82 Ом

Сопротивления Rб1 и Rб2 в цепи делителя:

ПринимаемRб1=3000Ом

Принимаем Rб2 = 750 Ом

где SФИК = (5÷10) – коэффициент нестабильности фазоинверсного каскада.

3.4 Расчет входной цепи каскада

Входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером:

где rб = (100÷200)Ом – сопротивление базового слоя;

где φТ = 25,6 мВ для tв = 20°C;

m = 2 для кремниевых транзисторов.

Для уменьшения влияния разброса параметров транзистора на коэффициент усиления в эмиттерную цепь вводят сопротивление Rэ1, не блокируемое конденсатором. Это сопротивление обычно принимают в пределах Rэ1=(1÷5)rэ. Это сопротивление мы учитывать не будем.

Тогда: rв = 100Ом

Амплитудное значение входного напряжения: