Курсовая работа: Проектирование высокочастотного генератора синусоидальных сигналов

где Р_{К max} –максимально допустимая рассеиваемая мощность коллектора выбранного транзистора; f_max –максимальная частота генерации биполярного транзистора; выбранного типа. Параметры Р_{К max} = 0,4Вт.иf_max = 200 МГц.высокочастотных транзисторов приведены в справочнике по полупроводниковым приборам (взяли транзистор КТ 668В, или его аналог BС393)

2. Рассчитываем энергетический режим работы генератора. Выбираем импульс коллекторного тока косинусоидальной формы. Считая, что в критическом режиме угол отсечки тока коллектора θ=90^° ,по графикам рис.1.2 находим коэффициенты разложения импульса коллекторного тока α₁ =0,5; α₀ =0,318.

Находим усредненное время движения τ_п носителей тока между p-n переходами транзистора по формуле

τ_п ≈1/2πf_max (1.14)

c

Вычисляем угол пробега носителей тока

φ_пр =2πf_р τ_п (1.15)

Вычисленное по формуле (1.15) значение φ_пр выражаем в градусах. При этом учитываем, что при φ_пр =2π угол φ_пр =360^° . Находим угол отсечки тока эмиттера

θ_э =θ-φ^° _пр (1.16)

;

По графикам рис. 1.2 определяем коэффициенты разложения импульса эмитерного тока α_1(Э) и α_0(Э)

Напряжение питания можно определить по формуле (1.17) при этом U_k берем в пределах 0,8…1,2 В:

(1.17)

;

Коэффициент использования коллекторного напряжения выбираем из соотношения:

ξ=1-2Р_к /Е_к ² S_кр α₁ (1.18)

;

где S_кр – крутизна линии критического режима выбранного транзистора (при отсутствии данного параметра в справочнике значение S_кр определяют графически в семействе идеализированных выходных характеристик транзистора; из справочника возьмем S_кр =0,03).

Определяем основные электрические параметры режима:

амплитуду переменного напряжения на контуре

U_мк =ξ|E_k |; (1.19)

амплитуду первой гармоники коллекторного тока

I_{K 1 m} =2P_K /U_mk ; (1.20)

;

Постоянную составляющую коллекторного тока

I_{K пост} =α₀ I_{K 1 m} /α₁ (1.21)

;