Курсовая работа: Проектирование высокочастотного генератора синусоидальных сигналов

Рассчитываем амплитудное значение напряжения возбуждения на базе транзистора, необходимое для обеспечения импульса тока эмиттера I_{Э u max} без учета влияния частоты

U_{БЭ m} = I_{Э u max} /(1-cosθ_э )S₀ (1.32)

;

где S₀ -крутизна характеристики тока коллектора.

Определяем напряжение смещения на базе, обеспечивающее угол отсечки тока эмиттера,

U_БЭсм =Е_с + U_{БЭ m} cosθ_э (1.32)

;

где Е_с – напряжение среза.

В случаях, когда значение напряжения среза в справочниках не приводится, его можно найти по идеализированным (спрямленным) характеристикам транзистора или ориентировочно принять равным Е_с =(0,1…0,2)В (полярность Е_с зависит от типа транзистора: для транзисторов p-n-p на базу подается отрицательное, а для транзисторов n-p-n положительное напряжение смещения).

Находим коэффициент обратной связи

К_св = U_{БЭ m} /U_mk (1.33)

;

Для выполнения условия баланса амплитуд необходимо выполнить условие

К_св ≥ К_{св min} =1/S₀ R_рез (1.34)

;

Рассчитываем сопротивление резисторов R1и R2. Для этого задаемся током делителя, проходящим через эти резисторы

I_Д ≈5I_Бпост (1.35)

;

где I_Бпост - постоянная составляющая тока базы выбранного транзистора. Величину I_Бпост можно найти по формуле

I_Бпост =I_{K пост} /h_21Э (1.36)

;

(h_21Э – статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора выбранного типа в схеме с общим эмиттером).

Зная I_Д , находим R2 по формуле

R₂ = U_БЭсм / I_Д (1.37)

;

Поскольку ток делителя на много превышает ток базы транзистора, последний не изменит существенно ток, протекающий через резистор R1. поэтому

R₁ =(E_k -U_БЭсм )/I_Д (1.38)

;

Мощность, рассеиваемая на резисторах R1 и R2, соответственно равна P_{R 1} =I² _Д R₁ ; P_{R 2} =I² _Д R₂ . С учетом этих значений выбираем стандартный тип резисторов R1 и R2 по шкале номинальных сопротивлений резисторов.