Курсовая работа: Проектирование высокочастотного генератора синусоидальных сигналов

I_{K и max} = I_{K 1 m} /α₁ (1.22)

;

мощность, расходуемую источником тока в цепи коллектора

Р₀ =I_{K пост} |E_k |; (1.23)

;

мощность, рассеваемую на коллекторе

Р_{К рас} =Р₀ -Р_К (1.24)

;

причем необходимо, чтобы

Р_{К рас} <Р_{K max} (1.25)

КПД по цепи коллектора

η=Р_К /Р₀ (1.26)

;

Эквивалентное резонансное сопротивление контура в цепи коллектора

R_рез =U_mk /I_{K 1 m} (1.27)

;

Находим коэффициент передачи тока транзистора в схеме с ОБ на рабочей частоте

h_21б( f_{p )} =h_21б / (1.28)

;

Где h_21б( f_{p )} – коэффициент передачи тока на низкой частоте; f_{h 21б(} f_{p )} -предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора выбранного типа.

Для определения параметра h_21б (значение которого не всегда приводится в справочниках) может быть использована формула

h_21б = h_21э /(1+ h_21э ) (1.29)

;

где h_21э -коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ.

Определяем амплитуду первой гармоники тока эмиттера

I_{Э1 m} =I_{K 1 m} / h_{21б( fp )} (1.30)

;

Находим амплитуду импульса тока эмиттера

I_{Э u max} = I_{Э 1m} /α_{1( Э )} (1.31)