Курсовая работа: Расчёт интегральной микросхемы

Расчет биполярного транзистора с применением ЭВМ

По литературному источнику [1] определяем основные электрические параметры и эксплуатационные данные на заданный транзистор (КТ319В).

Таблица 2.1

Основные электрические параметры и эксплуатационные данные на заданный транзистор

Тип транзистора	Струк тура							Интервал рабочих темпера тур
КТ319В	n-p-n	100	5	1	15	40	15	-60…+85

Используя ЭВМ и данные, полученные из справочной литературы, определяем нужные нам характеристики интегрального биполярного транзистора.

Исходные и корректируемые данные:

1.Значение тока коллектора =15 мА.

2.Напряжение коллектор-эмиттер =5В.

3.Длина эмиттера =0,005см.

4.Ширина эмиттера =0,005см.

5.Глубина области (эмиттер) =0,85*10^-4 см.

6. Глубина области (активная база) =3*10^-4 см.