Курсовая работа: Расчёт интегральной микросхемы
Минимальную ширину резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность, определяют из выражения:
0,331, (2.1)
где Db и Dl - погрешности ширины и длины, обусловленные технологическими процессами. Для типовых процессов (Dl=Db=0.1 мкм).
0,35, (2.2)
где 
- погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопротивления, для типовых процессов его выбирают в пределах 0,05¸0,1.
Теперь найдем минимальную ширину резистора 
, определяемую из максимально допустимой мощности рассеяния
. (2.3)
=7,3 мкм.
Для составления чертежа топологии необходимо выбрать шаг координатной сетки. Выбираем 1:500. Затем определяют промежуточное значение ширины резистора:
, (2.4)
где 
- погрешность растравливания окон (=0,2¸0,5 мкм);
- погрешность ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел (
» 60% базового и 80% эмиттерного слоёв).
пром =7,3-2×(0,5+1,8)=2,7 мкм
Реальная ширина резистора на кристалле:
(2.5)
где топ – топологическая ширина резистора.
Отсюда =9,6.
Расчётную длину резистора определяют по формуле:
(2.6)
где n1 – число контактных площадок резистора (n=2);
k1 – поправочный коэффициент, определяемый по номограмме (k1 =0,5).
Тогда имеем
=50,4 мкм.
Затем рассчитывают промежуточное значение длины:
(2.7)
Реальная длина резистора на кристалле:
(2.8)
Аналогично рассчитываем резисторы R2, R3, R4, R6. Полученные данные заносим в таблицу 3.1.
Таблица 3.1
|
|
Номин., кОм |
Откл., % |
Мощность, мВт |
|
Коэф. К-во Просмотров: 377
Бесплатно скачать Курсовая работа: Расчёт интегральной микросхемы
|
,