Курсовая работа: Расчёт интегральной микросхемы

8.Концентрация донорной примеси на поверхности эмиттера= 3*10²¹ .

9. Концентрация акцепторной примеси на поверхности базы = 5*10¹⁷ .

10.= 5*10¹⁵ .

11.Температура окружающей среды 300 К.

Результаты расчета на ЭВМ:

1.Статический коэффициент передачи тока=46,7.

2.Граничная частота усиления =107МГц.

3.Поверхностное сопротивление эмиттера =0,573.

4.Поверхностное сопротивление коллектора =569.

5.Поверхностное сопротивление пассивной базы =284.

6.Поверхностное сопротивление активной базы =480.

7.Сопротивление базы =28,5 Ом.

8.Сопротивление коллектора =60 Ом.

9.Пробивное напряжение перехода эмиттер-база =6,78 В.

10.Пробивное напряжение перехода коллектор-база =116 В.

11. =32 В.

12.Емкость перехода база-эмиттер =15 пФ.

13.Емкость перехода база-коллектор =0,26 пФ.

14.Время заряда емкости эмиттерного p-n перехода =с.

15.Время переноса носителей через активную базу транзистора =с.

16.Время пролета носителей заряда через ОПЗ коллекторного перехода =с.

17.Время заряда емкости коллекторного p-n перехода =с.

18.Удельная емкость = .

19. Удельная емкость = .

Остальные элементы (резисторы, конденсаторы) выполняются на основе областей биполярного транзистора. Выполним соответствующие расчеты.

Расчет резисторов

Исходными данными для расчета геометрических размеров интегральных полупроводниковых резисторов являются: заданное в принципиальной электрической схеме номинальное значение сопротивления R и допуск на него , поверхностное сопротивление легированного слоя , на основе которого формируется резистор, среднее значение мощности

P и максимально допустимая удельная мощность рассеяния (=8для диффузионных и имплантированных резисторов [2]), основные технологические и конструктивные ограничения.

R1=3 кОм15%