Курсовая работа: Расчет основных формул по основам электроники

Исходные данные

0,78		0,04		0,035	0, 2	0, 6	15	1500	700	2 50

Физические и математические постоянные:

1. Постоянная Планка

2. Элементарный заряд

3. Масса покоя электрона

4. Постоянная Больцмана

5. Число пи

6. Число е

7. Электрическая постоянная

1. Рассчитать температурную зависимость концентрации равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике

Исходные формулы:

а) Получение расчетной формулы

Пример:

б) Результаты расчетов представил в таблице 1.

Таблица 1.

Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике.

T	T^3/2	1/T	KT	n0	lnn0
75	649,5190528	0,013333333	0,006463	0,003973436	-5,528124115
100	1000	0,01	0,008617	21789,62053	9,989189013
120	1314,534138	0,008333333	0,010341	54057905,69	17,80556636
150	1837,117307	0,006666667	0,012926	1,42581E+11	25,68317669
200	2828,427125	0,005	0,017235	4,14293E+14	33,65759481
300	5196,152423	0,003333333	0,025852	1,43642E+18	41,80868748
400	8000	0,0025	0,03447	9,60747E+19	46,0116581
500	11180,33989	0,002	0,043087	1,2904E+21	48,60924193

в) Построил график 1 зависимости равновесной конфигурации носителей тока от температуры в координатах .

График 1

г) Проверить правильность построения графика, выполнив обратную задачу: используя значение tg α, найти ширину запрещенной зоны полупроводника ∆Е, сравнить с исходным значением ∆Е. Найти погрешность δ(∆Е).

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--