Курсовая работа: Расчет основных формул по основам электроники

11. Определить толщину пространственного заряда в p - n -областях

12. Построить в масштабе график 5 «Энергетическая диаграмма p - n -перехода в равновесном состоянии»

График 5.

13. Найти максимальную напряженность электрического поля в равновесном p - n -переходе. Построить график 6 «Зависимость напряженности электростатического поля от расстояния в p - n -переходе»

График 6.

14. Найти падение потенциала в p - n -областях пространственного заряда p - n -перехода

15. Построить график 6 «Зависимость потенциала в p - n -областях от расстояния»

Задать 5 значений Хр через равные интервалы и вычислить 5 значений .

Задать 5 значений Х n через равные интервалы и вычислить 5 значений .

Таблица 9.

1	2	3	4	5
Xp*1E-7	0,245902211	0,491804423	0,737706634	0,983608846	1,229511057
φp	0,014588944	0,058355776	0,131300495	0,233423102	0,364723597
Xn*1E-7	-0,122951106	-0,245902211	-0,368853317	-0,491804423	-0,614755529
φn, в	-0,007294472	-0,029177888	-0,065650248	-0,116711551	-0,182361799

График 7.

16. Вычислить барьерную емкость p - n -перехода расчете на S =1 см² для трех случаев

а) равновесное состояние p - n -перехода

б) при обратном смещении V =1 В

в) при прямом смещении V =0.8 Vk

Вывод: При обратном смещении барьерная емкость уменьшается . при прямом смещении барьерная емкость увеличивается.

17. Вычислить коэффициент диффузии для электронов и дырок ( в см²/с) и диффузионную длину для электронов и дырок (в см) при Т=300 К