Курсовая работа: Расчет основных формул по основам электроники

в) для области средних температур использовать формулу:

Таблица 8.

T,K	100	150	200	250	300	350	400
KT,эВ	0,00861737	0,012926063	0,01723475	0,021543438	0,02585212	0,03016081	0,034469501
Nc,м-3	4,3195E+23	7,93545E+23	1,22174E+24	1,70744E+24	2,2444E+24	2,8283E+24	3,4556E+24
Ef,эВ	-0,01453136	-0,02965864	-0,04698205	-0,06593848	-0,0861962	-0,10753629	-0,12980275

450	500	550	600	650	700	750	803,1
0,038778188	0,043086876	0,047395564	0,0517042	0,056013	0,060322	0,06463	0,06920614
4,12338E+24	4,82936E+24	5,57159E+24	6,348E+24	7,16E+24	8E+24	8,87E+24	9,83081E+24
-0,15287922	-0,17667528	-0,20111873	-0,2261505	-0,25172	-0,27779	-0,30432	-0,332968031

г) в области высоких температур использовать формулу:

Таблица 9.

T,К	400	450	500	550
KT,эВ	0,034469501	0,038778188	0,043086876	0,047395564
Ef,эВ	-0,361598537	-0,358048354	-0,354498171	-0,350947989

д) построить график 4 «Температурная зависимость Ef для донорной примеси по полученным точкам ».

График 4.

6. Рассчитать критическую концентрацию вырождения донорной примеси

. В и

7.Рассчитать равновесную концентрацию основных и неосновных носителей тока в p - n и n – областях p - n перехода при температуре Т=300К. Полагая , что примесь полностью ионизирована, считать и равным концентрации соответствующей примеси

Концентрация неосновных носителей найти из закона действующих масс в и перевести в .

8. Найти высоту потенциального барьера равновесного p - n -перехода и контактную разность потенциалов

9. Найти положение уровней Ферми в p - n -перехода и n -областях относительно потолка зоны проводимости и дна валентной зоны соответственно .(Т=300К)

а)

б)

в) определить высоту потенциального барьера p - n -перехода (проверка правильности п.8)