Курсовая работа: Разработка узла компаратора регулятора напряжения

где d - зазор, который нужно предусмотреть, чтобы не сомкнулись разделительная область и область n+ подлигирования к коллектору при расширении ОПЗ соответствующих переходов. Обычно для данного расстояния d » 0,8×hepi.

Подобно определим расстояние от базовой области до разделения:

Примем L6 = L7 = 16 мкм.

Тогда B2 = B3 = L7 = 17 мкм.

Определим максимальный ток, который может обеспечить рассчитанная конфигурация транзистора в соответствии с формулой (3.1):

Рассчитаем топологию p-n-p транзистора.

Для p-n-p транзистора выберем следующую конфигурацию (рисунок 3.4).

Рисунок 3.4 – Топология горизонтального p-n-p транзистора.

Через транзисторы VT4 и VT16 p-n-p типа течет ток, который может обеспечить конфигурация с минимальными возможными размерами, для этого случая и проведем расчет.

При минимальных размерах, размеры эмиттерной области будут как у n-p-n транзистора (рисунок 2.3) то есть LЭ = BЭ = 16 мкм.

Расстояние B2 которое будет шириной активной базы рассчитывается как:

где d - зазор, который необходимо предусмотреть, чтобы при расширении ОПЗ коллекторного и эмиттерного переходов не произошло их смыкания

Примем В2 = 10 мкм.

Ширина коллекторной области в этом случае равна её длине и будет определяться как:

Примем LК = 70 мкм.

Расстояние L1 как для n-p-n транзистора (L5 на рисунке 3.3) будет L1 = 8 мкм.

Длина базовой области как для n-p-n транзистора (LК на рисунке 3.3) будет LБ = 16 мкм.

Ширину базовой области примем равной ширине коллекторной области BБ=BК=70 мкм.

Ширина контакта к базовой области определим как: