Курсовая работа: Разработка узла компаратора регулятора напряжения
Расстояния L2 и L3 будут подобны n-p-n транзистору (L6 и L7 на рисунке 3.3) и равны 16 мкм.
У транзисторов VT2, VT9, VT14, VT18 эмиттеры соединены между собой и базы также соединены между собой, поэтому используем специальную конфигурацию для этих транзисторов (приложение А). Так как токи в данных транзисторах протекают небольшие, размеры областей транзистора будут совпадать с размерами горизонтального p-n-p транзистора (рисунок 3.4).
Такую же конфигурацию используем для транзисторов VT5 и VT6, VT10 и VT11.
Расчет резисторов.
Резисторы биполярных микросхем обычно изготавливаются на основе отдельных диффузионных слоев. В данном курсовом проекте для изготовления резисторов предполагается использование специального резистивного слоя.
Ввиду того, что через все резисторы протекают очень маленькие токи, то не требуется учет минимальной ширины резистора по мощности. Поэтому возьмем ширину резистора равную минимальной ширине окна в окисле 8 мкм.
Примем вид контактных площадок, такой как у резистора на рисунке 3.6.
В схеме (приложение А) имеем следующие резисторы (по номиналам):
R1 = 70кОм,
R2 = R3 = 20кОм,
R4 = 46кОм,
R5 = 5кОм,
R6 = 17,2кОм,
Рисунок 3.6 – Конфигурация резистора в общем виде.
Длину резисторов определим из формулы [1]:
(3.2)
где RS – поверхностное сопротивление,
К – коэффициент влияния контактных площадок.
Для выбранной конфигурации контактных площадок К = 0,2 [1].
Все резисторы высокоомные, поэтому их целесообразно выполнить на основе резистивного слоя с поверхностным сопротивлением Rs = 2000 Ом/□.
Выразим из формулы 3.2 длину резистора:
(3.3)
Рассчитаем длину резистора R1:
Рассчитаем длину резисторов R2, R3:
Рассчитаем длину резистора R4:
