Курсовая работа: Технология получения монокристаллического InSb p-типа
2.1 Технологическая схема выращивания монокристаллического p - PbSe размером d =3 мм, l =15 мм (рис. 3.1)
Для выращивания монокристаллического p-PbSe в качестве исходных компонентов используют простые вещества Pb и Se. Операции по их подготовке, очистке, синтезу с получением поликристаллического p-PbSe образуют поток исходных компонентов:
1. Взвешивание индивидуального компонента Se на аналитических весах (1), m=350,2992 г.
2. Взвешивание индивидуального компонента Pb на аналитических весах (1), m=918,9008 г.
3. Травление Pb в ванне с HNO3 20% (2).
4. Промывка Pb в проточной ванне с деионизованной водой (3).
5. Сушка Pb в сушильном шкафу (4),при 900 С.
6. Дробление и перемешивание смеси индивидуальных компонентов Pb и Se в дробилке (5).
7. Спекание Pb и Se в высокотемпературной печи (6) при температуре 9500 С до образования поликристаллического p-PbSe. Процесс ведется в инертной среде аргона (6) под давлением 0,5 МПа, в присутствии восстановителя H2 (7). Избыток Se достигается подсоединением ампулы с возгоняющимся Se (8) при t=200 °C.
8. Контроль электрофизических свойств поликристаллического PbSe (10).
9. Дробление поликристаллического PbSe в дробилке (11).
10. Травление мелкодисперсного поликристаллического PbSe в 15% растворе NaOH (12).
11. Промывка поликристаллического PbSe в проточной ванне с деионизованной водой (13).
12. Сушка поликристаллического PbSe в сушильном шкафу при T=1000 C (14).
13. Взвешивание поликристаллического PbSe на аналитических весах (15).
14. Загрузка поликристаллического PbSe в аппарат для выращивания монокристалла (26), по методу Чохральского.
Поток по затравке включает в себя все необходимые стадии для ее подготовки к выращиванию.
1. Контроль под микроскопом структуры и дефектности монокристалла PbSe (16).
2. Вырезание затравки нужных размеров в нужных плоскостях (17).
3. Травление затравки в 15% растворе NaOH (18).
4. Промывка затравки в проточной ванне с деионизованной водой (19).
5. Сушка затравки PbSe в сушильном шкафу при T=1000 C (20).
6. Шлифование затравки 10 мин. (21).
7. Полирование затравки 20 мин. (22).
8. Промывка затравки в проточной ванне с деионизованной водой (23).
9. Сушка затравки PbSe в сушильном шкафу при T=1000 C (24).
10. Закрепление затравки в держатель.