Курсовая работа: Технология получения монокристаллического InSb p-типа
Вероятность смертельного исхода при поражении электрическим током больше чем при воздействии других производственных вредностей.
Для защиты от прикосновения к находящимся под напряжением частям установок применяют изоляцию, ограждение, дистанционное управление, блокировку и предохранительную сигнализацию. Надежность изоляции контролируют, замеряя ее электрическое сопротивление. Все открытые токоподводы и контакты должны быть надежно ограждены кожухом или сетчатым ограждением.
Электромагнитные поля, возникающие при работе высокочастотных генераторов, также представляют собой определенную профессиональную вредность. Они вызывают нарушения нормальной работы нервной, сердечно-сосудистой и кроветворной систем, а также других органов.
Правила безопасной работы с газами
В производстве объемных монокристаллов полупроводников широко применяют различные газы. В их число входят такие горючие и взрывоопасные, как водород, и инертные — аргон. Утечка водорода может привести к взрыву. Инертные газы, попадая в атмосферу производственного помещения, снижают содержание в ней кислорода, ухудшая тем самым условия труда работающих. Поэтому оборудование, работающее с использованием газов, и подводящие их трубопроводы должны быть герметичными.
Эксплуатация установок, рабочие камеры которых находятся под высоким давлением газа, сопряжена с опасностью, так как взрыв или даже сильная утечка газа могут привести к серьезным травмам обслуживающего эти установки персонала. Поэтому камеры установок высокого давления (более 0,7 ат), а также баллоны для сжатых газов относятся к сосудам высокого давления, эксплуатация которых подчиняется особым правилам.
Камеры установок высокого давления и их элементы (трубопроводы, вентили и т, п.) изготовляются специализированными предприятиями по утвержденному проекту. Какие-либо изменения в их конструкции без согласования с выполнившей проект конструкторской организацией не допускаются.
Установки, работающие с водородом, должны быть снабжены в местах его выделения местными отсосами или устройствами для сжигания. Запрещается подавать водород в установки, имеющие внутри горячие детали (нагреватели, кварцевые трубы и др.). Открывать рабочие камеры установок, в которых проводились процессы в среде горючих или токсичных газов, можно только после тщательной, в течение 10—15 мин продувки инертным газом.
Помещения, в которых проводятся работы с пожаро- и взрывоопасными веществами, должны быть оборудованы автоматическими средствами пожаротушения и пожарной сигнализации. При пользовании газами и легковоспламеняющимися летучими веществами, способными образовывать с воздухом взрывоопасные смеси, помещения должны быть также оборудованы устройствами для автоматического контроля состава воздуха. Горючие газы и легковоспламеняющиеся жидкости должны централизованно подаваться по трубопроводам непосредственно к местам потребления. Во всех остальных случаях транспортировать эти газы и жидкости следует в герметичных контейнерах. Пустые контейнеры хранят в специально выделенных и оборудованных для этой цели помещениях, расположенных вдали от производственных.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В данной курсовой работе приводиться разработка схемы получения монокристаллеческого объразца селенида свинца по методу Чохральского.
Для выращивания PbSe с удельной проводимостью 2 Ом·см с диаметром 3 cм и длинной 15 см 150 кг/ год нам необходимо 128,152 кг / год Pb и 48,552 кг/ год Se, при скорости вытягивания 6 мм/час.
Общий цикл процесса выращивания одного кристалла PbSe длиной 15 см и диаметром 3 см составляет 48,09 часов, что примерно равно двум суткам.
Выход годного продукта составляет 68,07 %. Количество слитков выращенных за год – 201,9 (примерно 202).
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ
1. Абрикосов Л. Х. Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений АlV ВVl . Наука 1975 г. 195 с.
2. Нашельский А. Я. Производство полупроводниковых материалов. Металлургия 1982 г. 311 с.
3. Материалы используемые в полупроводниковых приборах. Под ред. Хогарта. Мир 1968 г. 348 с.
4. Пасынков В. В. Сорокин В. С. Материалы электронной техники. Высшая школа 1986 г. 367 с.
5. Химическая энциклопедия IV том. Большая российская энциклопедия 1999 г. 783 с.
6. Лодиз Р. Паркер Р. Рост монокристаллов. Мир 1974 г. 540 с.
7. Мошников В. А., Риппинен А. Н., Чеснокова Д. Б. Исследование фазового состава, структуры и свойств пленок на основе PbSe в зависимости от условий их термообработки. ЦНИТИ “Техномаш”. 2003 с. 105-108.
8. Мошников В. А., Риппинен А. Н., Чеснокова Д. Б. Управление составом и свойстрвми слоев PbSe в процессе их получения. ЦНИТИ “Техномаш”. 2003 с. 105-108.
9. Dimitrons A. Mehl Michael. Electronic structure calculation of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe. J. J. Phus. And Chem. Solids 2002. 63 № 5 стр 833-841 Англ.
10. An Changhua, Tang Kaibin, Jim Ying A Simple method to synthesize PbS, PbSe nanocrystals. J. Cryst. Crowth. 2003. 253, № 1-4 стр. 467-471 Англ.
11. Фреiк А.Д., Довчий О.Я., Рубiнський Б.М. Напрямленi неоднорiдностi електричных параметрiв i атомнi дефекти у тонких плiвках халькогiнiдiв свинцю,вiдпалених в атмосфiрних кисию. Укр. Фiз. Ж. 2003. 48, № 10 с 1086-1090. Укр.
12. Fedorov A., Sipatov A., Volobuev V. Diffusion and Kirkendall effect in PbSe - EuS multilager. Thin Solid Films. 2003. 425 № 1-2 с. 287-291 Англ.
13. Rumianowski Roman T., Dygdala Roman S., Jung Wojciech. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method. J. Cryst. Growth, 2003. 252, №1-3 с230-235 Англ.
14. Иванов Д. К., Богаев С. И. Электрохимическое получение полупроводниковых структур Se / PbSe и Pb1- x Snx S / SnS. Тезисы докладов II Всероссийской студенческой научной конференции. Екатеринбург, 25-27 апр., 2001.4.1. УрГУ 2001. с 5. Рус.