Курсовая работа: Технология получения монокристаллического InSb p-типа

16. Aigle M., Passher H., Pinczolits M. Optical characterization of self – organized quantum dot superlatives. Phys. Status solid: B 2001.224 №1 c. 223-227 Анг.

17. Зыков В. А., Гаврикова Т.А., Ильин В.И. Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях. Физика и техн. полупровод. 2001.35 №11 с.1311-1315.

18. Beaunier L., Cachet H., Froment M. Epitaxial electodeposition of lead selenide films on indium phosphide single crystal. Mater. Sci. Semicond. Process. 2001.4 № 5 c.433-436.

19. Некрасов Б. В. Основы общей химии I. Химия 1973 г. с. 656.

20. Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Корицкого Ю. В., Пасынкова В. В., Тареева Б.М. том 3. Инергоатомиздат 1988 г. с. 728.

21. Шелимова Л. Е. Диограммы состояния. Москва 1991 г. с. 325.

22. Барышев Н. С. Свойства и применение ускозонных полупроводников. Унипресс 2000 г. с. 433.

23. Чистиков Д. Ю., Райков Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Москва Металлургия 1979 г. с 408.