Курсовая работа: Технологія синтезу нанодротів
Зміст
Вступ
Розділ 1. Вирощування нанодротів
1.1 Синтез за допомогою шаблонів
1.2 Вирощування нанодротів за допомогою шаблонів та інжекцію під тиском
1.3 Електрохімічне нанесення
1.4 Нанесення з парової фази
1.5Ситез нанодротів з використанням шаблонів і в якості шаблонів
1.6 Методика вирощування кремнієвий нонодротів
1.7 Секрети ПРК-росту кремнієвих нанопроволок
1.8 Нанодроти триоксиду вольфраму
Розділ 2. Кінетика формування нанодроту в процесі вакуумної конденсації металів на поверхню кристала
Висновки
Список використаної літератури
Вступ
Назва моєї курсової роботи "Технологія синтезу нанодротів".
Один з найважливіших напрямів хімічного дизайну сучасних матеріалів пов'язаний з вирішенням проблеми отримання наноструктур із заданими характеристиками і створення функціональних наноматеріалів на їх основі.
Проблема створення і дослідження наноструктур з контрольованими розмірами і заданими властивостями входить до числа найважливіших проблем нашого часу, перш за все, тому, що її рішення приведе до революційних змін в наноелектроніці, наномеханіці, біології, медицині, матеріалознавстві і інших областях. Багато держав мають свої національні програми по нанотехнології. Великий інтерес до нанотехнології і успіхи останніх років в цій області дозволяють сподіватися на створення найближчими роками нових матеріалів і нових приладів [1].
Принципи наноелектроніки, наномеханіки були сформульовані ще в 1959 році Фейманом, в тому ж році Ландауер сформулював основи квантового транспорту електронів в наноструктурах. У 1962 році Л.Б.Келдишем була висловлена ідея створення штучних надграток і зроблений вивід про наявність у них падаючої вольт-амперної характеристики. У 1969 році Есаки і Тцу створили штучну надгратку. Ліхарев в 1987 році сформулював принципи одноэлектроники. В даний час досягнуті великі успіхи в зменшенні розмірів активних областей і створенні наноструктур. Проте для переходу від мікроелектроніки до наноелектроніки недостатньо тільки зменшення розмірів елементів приладів, необхідно досягти прецизійності у виготовленні елементів, а також змінити і принципи роботи приладів. Річ у тому, що із зменшенням розмірів багато характеристик, що грають ключову роль в роботі приладів мікроелектроніки, такі як рухливість двовимірного електронного газу, і так далі перестають грати свою роль і на перше місце виходять зовсім інші характеристики – довжина хвилі електрона, довжина фазової когерентності, довжина вільного пробігу. Якщо в мікроелектроніці для перемикання приладу з одного стану в інше потрібне проходження струму з порядка мільйон електронів, то в наноелектроніці для здійснення перемикання буде достатньо одного електрона. Необхідний новий підхід до створення дійсно квантових приладів, що використовують квантові явища, такі як резонансне тунелювання, інтерференцію електронних хвиль, квантування провідності, кулонівську блокаду, явища спінів і так далі [2].
Відзначимо, що виробництво наноприладів можна буде організувати тільки якщо погрішність в дотриманні розмірів при виготовленні елементів буде менше 3 %. Треба також змінити і наше уявлення про вимоги до розмірів і форми наноелементів, які повинні бути прецизійні, останнє пов'язано з тим, що такі квантові явища як тунелювання, розмірне квантування, сильно залежать від розмірів.
Нанодріт є одним з ключових об'єктів нанотехнології. Є повідомлення про використання нанодротів як компонент композиційних матеріалів, а також для створення матриць емітерів електронів, каталізаторів, електродів для біофізичних досліджень.
У зв'язку з перспективою застосування нанодротів в технології, в даний час ведеться інтенсивний пошук методів синтезу нанодротів і структур на їх основі. Найбільшого поширення в синтезі нанодротів набули методи, засновані на використанні допоміжних структур (шаблонів або темплатов), що просторово обмежують область синтезу і тим самим задаючих товщину металевих нанодротів. В ролі шаблонів можуть виступати циліндрові міцели поверхнево-активних речовин (так звані "м'які шаблони"). Діаметр нанодротів в цьому випадку визначається внутрішнім діаметром циліндрового каналу міцели. У якості "жорсткого" шаблону використовується пористий оксид алюмінію, створений на металі шляхом його електрохімічного окислення (анодування), а також полімерні плівки з нанопорами, створеними методом іонного витравлювання. Синтез нанодротів в цьому випадку полягає в "зарощуванні" пір шаблону металом методом електролізу. Для подальшого використання нанодротів шаблон віддаляється за допомогою селективного підбурювання останнього. Метод отримання нанодротів з використанням шаблонів забезпечує відтворюваність геометричних і фізичних характеристик об'єктів. Проте цей метод складний і мало придатний для отримання великих кількостей [3].
Отже, розкриття даної теми є не лише актуальним, але й сучасним, оскільки застосування нанодротів є досить перспективним у різних галузях техніки.
У розкритті даної теми мені допомогло використання великої кількості літературних джерел.
Дана курсова робота складається з вступу, двох розділів, висновків і списку використаної літератури. В першому розділі йдеться про методику одержання нанодродів, в другому розділі – теоретичний опис процесу вирощування нанодротів [4].
Розділ 1. Вирощування нанодротів
1.1 Синтез за допомогою шаблонів
Синтез нанодротів за допомогою шаблонів є концептуально простим методом виготовлення наноструктур. Шаблони містять дуже малі циліндричні пори або порожнини у матеріалі матриці, порожнина заповнюється потрібним матеріалом, який приймає морфологію пор, для формування нанодротів.
Синтез шаблонів. У синтезі наноструктур з використанням шаблонів необхідно розглядати такі важливі характеристики, як хімічну стабільність і механічні властивості шаблону (маски), а також діаметр, однорідність та густину пор. Шаблони, які часто використовують для синтезу нанодротів, включають анодний алюміній (Al2 О3 ), наноканальне скло, витравленіпучками іонів полімери та плівки слюди. Поруваті шаблони з анодного алюмінію отримуються анодуванням чистих плівок АІ у різних кислотах. При ретельно вибраних умовах анодування отримана плівка окису має регулярну гексагональну структуру паралельних і майже циліндричних каналів, як показано на рис. 1.1.
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--