Курсовая работа: Технология структур кремния на изоляторе

Обладая несомненными достоинствами, структуры КНИ остаются значительно более дорогими, чем стандартные пластины с внутренним геттером. Рассчитывать на расширение производства КНИ можно лишь в том случае, если будет существенно повышен выход ИС с одной пластины и освоен выпуск принципиально новой продукции, например, систем на кристалле.

Также структуры КНИ являются лучшим полуфабрикатом для изучения кремниевых мембран и различных изделий из кремниевой фольги.

Таким образом, структуры КНИ способны показать эффект в микроэлектронике как немедленно, так и в отдаленной перспективе.

Список литературы

1. Б.Ю. Богданович – Технологии и методы исследования структур КНИ. МИЭТ, 2003.

2. В.М. Андреев, Д.В. Зиновьев – Кремниевые структуры для приборов микроэлектроники. МИЭТ, 2006.

3. Ю.Ф. Козлов, В.В. Зотов – Структура кремния на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение. МИЭТ, 2004.

4. Электронные ресуры