Лабораторная работа: Модели полупроводниковых диодов
Содержание
Часть №1
1. Исследование зависимости времени жизни от концентрации легирующей примеси
2. Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей
3. Исследование модели тока насыщения IS идеального диода в модели Шокли
4. Исследование модели контактной разности потенциалов
5. Исследование модели толщины ОПЗ
Часть №2
1. Исследование влияния процессов генерации-рекомбинации в ОПЗ на вид ВАХ для PSPICE модели диода
2. Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода
3. Исследование влияние процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода
4. Исследование влияние процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода
Часть №3
1. Исследования влияние концентрации в базе и температуры на значение равновесной барьерной емкости Cj 0 (при U=0
2. Исследование ВФХ барьерной емкости в зависимости от ее входных параметров
3. Исследование ВФХ диффузионной емкости в зависимости от ее входных параметров
4. Исследование ВФХ барьерной и диффузионной емкости на совмещенном графике
Лабораторная работа №3
Тема: «МОДЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ»
Цель работы: Изучить основные физические модели p-n переходов, находящихся в равновесном состоянии и при электрическом смещении, а так же модели ВАХ диодов, соответствующие различным процессам (генерация-рекомбинация в ОПЗ, высокий уровень инжекции, явление пробоя) в зависимости от учитываемых параметров в схемотехнической модели диода для программы PSPICE в режиме работы на постоянном токе (DC режим).
Исходные данные:
- п/п – Ge
- NЭ = 1×1018 см-3 ; NБ = 2×1015 см-3 .
- LБ = 10мин; LЭ = 2мин; W = 500мин; H = 200мин.
- Sзахв = 2×10-16 см-2 .
- Переход p-n.
Часть №1
Uобр = -50В; Т = 300°К
Концентрационные зависимости подвижностей основных и неосновных носителей:
| Эмиттер (Р) | База (n) | ||||||
| N/5 | N | 5N | N/5 | N | 5N | ||
| Конц. см-3 | 2×1017 | 1×1018 | 5×1018 | Конц. см-3 | 4×1014 | 2×1015 | 1×1016 |
| mосн см2 /В×с | 700 | 380 | 160 | mосн см2 /В×с | 4500 | 4100 | 3800 |
| mнеосн см2 /В×с | 2700 | 2000 | 1200 | mнеосн см2 /В×с | 2000 | 1900 | 1500 |
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--