Лабораторная работа: Модели полупроводниковых диодов

а) При увеличении температуры увеличивается значение напряжения, начиная с которого диффузионная емкость резко увеличивается (при Т=300°К U=0,2В, а при Т=400°К U=0,5В).

б) При увеличении концентрации примеси в базе значение напряжения, начиная с которого диффузионная емкость резко возрастет, увеличивается незначительно (при N_Б = 4×10¹⁴ см^-3 U=0,5В, а при N_Б = 1×10¹⁶ см^-3 U=0,55В).

Для Ge и Si значения напряжения, при котором диффузионная емкость возрастает, резко отличаются:

U(Ge) = 0,5B

U(Si) = 1,4B

4. Исследование ВФХ барьерной и диффузионной емкости на совмещенном графике

По совмещенному графику видно, что при обратных напряжениях на переходе преобладает барьерная емкость, а при прямых напряжениях – диффузионная емкость.

Площадь p-n перехода непосредственно учитывается в модели барьерной емкости:

где

S – площадь поперечного сечения p-n перехода.