Лабораторная работа: Моделирование распределения примесей в базе дрейфового биполярного

в). Время жизни дырок вблизи p-n переходов оценивается по выражению:

(1.3)

и будет составлять:

- для эмиттерного p-n перехода

г). Подвижность электронов вблизи p-n переходов определяется по выражению [4,7]:

(1.4)

- и для эмиттерного p-n перехода:

д). Подвижность дырок вблизи p-n переходов определяется по выражению [7]:

(1.5)

- и для эмиттерного p-n перехода:

е). Коэффициент диффузии носителей заряда вблизи p-n переходов определяется соотношением Эйнштейна [1, 4, 6, 7]:

(1.6)

и будет равен:

- для электронов вблизи эмиттерного p-n перехода:

- для дырок вблизи эмиттерного p-n перехода:

ж). Диффузионная длина носителей заряда вблизи p-n переходов определяется по выражению [1, 4, 6]:

;(1.7)

и будет составлять:

- для электронов вблизи эмиттерного p-n перехода:

;

- для дырок вблизи эмиттерного p-n перехода:

Расчет типового коэффициента усиления дрейфового транзистора