Лабораторная работа: Моделирование распределения примесей в базе дрейфового биполярного
и при подстановке численных значений будет составлять:
Учитывая, что при коэффициентах усиления по току ВN ≥50 ед., ток эмиттера мало отличается от тока коллектора, то дифференциальное сопротивление эмиттера в заданном режиме измерений определяется выражением:
(1.21)
где:
- φ T – тепловой потенциал, который для кремния при T=300°K составляет 
;
- КЗ – коэффициент запаса, принимаемый в диапазоне от 1,05 до 1,2 и принятый в данном случае равным КЗ =1,1;
- IK – ток в режиме измерения параметров транзистора.
Расчет дифференциального сопротивления эмиттера проводится для указанного в задании диапазона токов эмиттера или коллектора. В данном случае это сопротивление рассчитывают для токов коллектора: 0,1 мА (1∙10-4 А); 0,2 мА (1∙10-4 А); 0,5 мА (1∙10-4 А); 1 мА (1∙10-3 А); 2 мА (1∙10-3 А); 5 мА (5∙10-3 А); 10 мА (1∙10-2 А); 20 мА (2∙10-3 А); 50 мА (1∙10-3 А); 100 мА (1∙10-3 А). Данные расчета дифференциального сопротивления эмиттера по выражению (1.21) для указанных токов приводятся в таблице 1.1.
Данные расчета времени переключения емкости эмиттера по выражению (1.19) приводятся в таблице 1.1.
Данные расчета предельной частоты переменного сигнала в транзисторе по выражению (1.14) приводятся в таблице 1.1.
Пример расчета предельной частоты при токе коллектора, равного 2 мА:
- согласно (1.21):
14,3 Ом;
- согласно (1.19):
1,487∙10-10 с;
- согласно (1.14):
Таблица 1.1
Данные расчета предельной частоты биполярного транзистора при разных токах коллектора
|
τк , с |
τпр.б , с |
τопз , с |
СЭ , Ф |
I К , А |
R Э , Ом |
τЭ , с |
fT , Гц |
|
7,02∙10-12 |
К-во Просмотров: 258
Бесплатно скачать Лабораторная работа: Моделирование распределения примесей в базе дрейфового биполярного
|