Лабораторная работа: Моделирование распределения примесей в базе дрейфового биполярного

(1.8)

Она будет равна:

Затем определим толщину активной базы W_ба в заданном режиме измерения по выражению:

(1.9)

где: - ε – диэлектрическая постоянная материала, равная для кремния 11,7;

- ε₀ – диэлектрическая проницаемость вакуума, равная 8,86∙10^-14 Ф/см;

- е – заряд электрона, равный 1,6∙10^-19 Кл.

- V_K – рабочее напряжение на коллекторе транзистора.

При подстановке численных значений получим:

Коэффициент переноса носителей через базу для дрейфового n-p-n транзистора определяется по выражению:

(1.10)

и он будет равняться:

0,99819

Коэффициент инжекции для дрейфового n-p-n транзистора определяется по выражению:

(1.11)

и будет составлять:

0,99609

a) Коэффициент передачи тока любого биполярного транзистора – α определяется по формуле:

(1.12)

где: ж – коэффициент эффективности коллектора.

Обычно считают, что для кремниевых транзисторов значение ж = 1.

Подстановка численных значений в формулу (1.12) дает для n-p-n транзистора значение:

Прямой коэффициент усиления по току для n-p-n транзистора определяется выражением:

; (1.13)

Подстановка численных значений дает значение:

173 (ед. )

Расчет частотных свойств биполярного дрейфового транзистора