Отчет по практике: Технологические процессы микросборки плат
3 Отжиг испарителей производить непосредственно перед поведением операции напыления.
4 Платы с напылёнными слоями можно хранить в эксикаторе с силикагелем не более трёх сутиок или не более сорока суток с момента напыления в шкафу с защитной средой.
5 Толщина адгезионного подслоя должна быть от 0,03 до 0,08 мкм.
6 Толщина напылённого слоя меди на лицевой стороне подложки должна быть от 0,00 до 0,00 мкм.
7 При проведении технологических операций, подложки следует брать пинцетом на расстоянии не более двух ипллметров от края.
Таблица 3 - Данные по технологическим процессам напыления резистивных слоёв
Напыляемый материал | Метод напыления | Режимы напыления | |||||||
Температура прогрева подложек до напыления, (ºС) | Предварительный вакуум до нагрева, (мм.рт.ст.). | Давление в камере при напылении, (мм.рт.ст.). | Время напыления на заслонку, (мин). | Скорость вращения барабана (карусели), (об/мин). | Температура стабилизации резистивного слоя, (ºС) | Время стабилизации резистивного слоя, (мин) | Температура подложки при разгерметизации камеры, (ºС) | ||
РС-3710 | Ионно-плазменный | 190-210 | 2·10-5 | (4,5-7,5)·10-4 | 10-15 | 50-100 | 190-200 | 15 | 75-85 |
РС-3710 | Термический | 300-320 | 5·10-5 | до 5·10-5 | 0,25 | 50-100 | 300-320 | 15 | 300-320 |
Хром | Термический | 290-310 | 5·10-5 | до 5·10-5 | 0,25 | 50-100 | 290-310 | 15 | 75-85 |
Нихром | Термический | 290-310 | 5·10-5 | до 5·10-5 | 0,25 | 50-100 | 290-310 | 15 | 75-85 |
МНКБ | Ионно-плазменный | 190-210 | 2·10-5 | (4,5-7,5)·10-4 | 15 | 50-100 | 190-210 | 15 | 75-85 |
Основные данные по технологическим процессам напыления резистивных слоёв приведены в таблице 3.
Основные данные по технологическим процессам напыления проводящих слоёв приведены в таблице 4.
Напыляемый материал | Метод напыления | Режимы напыления | |||||||
Температура прогрева подложек до напыления, (ºС) | Предварительный вакуум до нагрева, (мм.рт.ст.). | Давление в камере при напылении, (мм.рт.ст.). | Время напыления на заслонку, (мин). | Скорость вращения барабана (карусели), (об/мин). | Температура стабилизации резистивного слоя, (ºС) | Время стабилизации резистивного слоя, (мин) | Температура подложки при разгерметизации камеры, (ºС) | ||
Хром | Термический | 290-310 | 1·10-5 | до 5·10-5 | 0,25 | 50-100 | 290-310 | 15 | 75-85 |
Медь | Термический | 290-310 | 5·10-5 | до 5·10-5 | 0,25 | 50-100 | 290-310 | 15 | 75-85 |
Никель | Термический | 190-210 | 2·10-5 | до 5·10-5 | 15 | 50-100 | 190-210 | 15 | 75-85 |
Примечание − 1 – Режимы операций напыления уточняются технологом участка при пробном напылении
2 – Расплавление и обезгаживание меди проводятся до напыления хрома
3 – Разрыв во вре6мени между окончанием напыления хрома и началом напыления меди не более полутора минут
4.4 Технические данные
1 Количество материала, распыляемых за один технологический цикл:
ионным распылением -2
электроннолучевым напылением -3
2 Количество одновременно напыляемых подложек за один технологический цикл:
керамических (36x24x1,2) с выводами - 90 шт.
ситаловых (60x48x0,5) -50 шт.
3 Предельный вакуум в рабочей камере 5·10-6мм.рт.ст.
4 Время получения вакуума 5·10-6мм.рт.ст. - 90 мин (при разогретом паромасляном насосе).
5 Рабочий вакуум:
при электроннолучевом напылении 8·10-6мм.рт.ст.
при ионном распылении (с током мишени
не более 250 А ) 5·10-4мм.рт.ст.
6 Напуск газа и стабилизацию давления в рабочей камере в диапазоне 6·10-4мм.рт.ст. до 3·10-4мм.рт.ст.
7 Рабочий газ при ионном распылении - аргон.
8 Количество мишеней - 2.
9 Постоянное напряжение на мишени в режиме ионного распыления ~ 0...3 кВ.
10 Ток мишени при распылении постоянным током