Реферат: Магнитоимпульсное формообразование. Плазменная, лазерная и электронно-лучевая обработка материалов

Технологические характеристики электронно-лучевой обработки (производительность, точность, шероховатость поверхности и т.п.) во многом определяются возможностями оборудования (табл.1), энергетическими параметрами электронного пучка, свойствами обрабатываемого материала.

Таблица 1.

Установки U, кВ q, Вт/см2

Диаметр луча,

мм

Ток луча,

мА

Выходная мощность,

кВт

Низковольтная (сварка) 15 - 30 103 - 106 0,05 – 1,0 30 - 1000 15
Средневольтные 50 - 70 106 – 107 0,025 – 0,0125 10 - 500 1

Высоковольтные

(размерная обработка)

100 - 200

107 – 109

0,00025

0,5 - 50

3

Электронно-лучевая обработка применяется при размерной микрообработке и сварке, Остросфокусированным пучком электронов можно получить минимальный диаметр отверстия 0,5 мкм, а максимальный с одного прохода – 0,2 мм. Производительность процесса при разрезании, заготовок достигает 1 мм3/мин, точность обработки – 2 – 3 мкм, шероховатость поверхности соответствует 11-му классу. Размерная обработка используется при резке и прошивании полупроводниковых материалов, изготовлении элементов пленочных и полупроводниковых интегральных схем, обработке ферритовых элементов памяти ЭВМ и т.д.

Достоинствами электронно-лучевой сварки являются: высокая чистота сварного шва, возможность получать сварные швы шириной 1 мм и менее, локальность температурного воздействия, глубокий провар, возможность сварки диэлектрических материалов. При сварке не токопроводящих материалов, например, стекла, керамики, на образец накладывают две металлические обоймы из вольфрама или молибдена, которые служат дополнительным анодом.

Электронно-лучевая сварка применяется при монтаже микросхем на печатные платы, при внутрисхемном и внутримодульном монтаже.

К недостаткам электронно-лучевой обработки следует отнести сложность технологических установок, высокую их стоимость и необходимость проведения работ в условиях глубокого вакуума.

Кроме того, неизбежное появление жесткого рентгеновского излучения требует специальных средств защиты и соблюдения строгих мер предосторожности.

ЛИТЕРАТУРА

· Технология производства ЭВМ / А.П. Достанко, М.И. Пикуль, А.А. Хмыль: Учеб. – Мн. Выш. Школа, 2004 – 347с.

· Технология деталей радиоэлектронной аппаратуры. Учеб. пособие для ВУЗов / С.Е. Ушакова, В.С. Сергеев, А.В. Ключников, В.П. Привалов; Под ред. С.Е. Ушаковой. – М.: Радио и связь, 2002. – 256с.

· Тявловский М.Д., Хмыль А.А., Станишевский В.К. Технология деталей и пе-риферийных устройств ЭВА: Учеб. пособие для ВУЗов. Мн.: Выш. школа, 2001. – 256с.

· Технология конструкционных материалов: Учебник для машиностроительных специальностей ВУЗов / А.М. Дольский, И.А. Арутюнова, Т.М. Барсукова и др.; Под ред.А.М. Дольского. – М.: Машиностроение, 2005. – 448с.

· Зайцев И.В. Технология электроаппаратостроения: Учеб. пособие для ВУЗов. – М.: Высш. Школа, 2002. – 215с.

· Основы технологии важнейших отраслей промышленности: В 2 ч. Ч.1: Учеб. пособие для вузов / И.В. Ченцов, И.А.

К-во Просмотров: 402
Бесплатно скачать Реферат: Магнитоимпульсное формообразование. Плазменная, лазерная и электронно-лучевая обработка материалов