Реферат: Общая характеристика предприятия и анализ кадрового потенциала

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

КАФЕДРА МЕНЕДЖМЕНТА

РЕФЕРАТ

НА ТЕМУ:

"Общая характеристика предприятия и анализ кадрового потенциала "

МИНСК, 2009

1. Общая характеристика ПРУП "Транзистор"

Производственное республиканское унитарное предприятие (ПРУП)"Транзистор", входящий в состав научно-производственного объединения "Интеграл", является предприятием Министерства промышленности Республики Беларусь и одним из крупнейших производителей полупроводниковых приборов в СНГ. Предприятие имеет замкнутый технологический цикл производства полупроводниковых приборов, начиная с резки кремниевых слитков диаметром 3, 4, 6 дюймов и заканчивая сборкой и измерением приборов. Имеет собственное заготовительное производство, энергетическое подразделение по подготовке энергоносителей и технологических сред. Имеется современное инструментальное хозяйство, обеспечивающее проектирование и изготовление требуемых пресс-форм и штампов.

Предприятие создавалось в 1968 году как крупный производитель радиоэлектронных компонентов и спец. технологического оборудования для радиоэлектронной промышленности. В 2008 году предприятию исполнилось 40 лет со дня основания. За этот период ПРУП "Транзистор" прошло сложный путь становления, развития и превращения в современное предприятие по производству наукоемких изделий электронной техники. Начав производственную деятельность с выпуска простейших германиевых транзисторов, предприятие в настоящее время производит несколько сотен типономиналов полупроводниковых приборов.

Постоянно участвуя в реализации научных разработок в области электроники, предприятие проводит целенаправленную работу по внедрению сверхточных технологий, современного оборудования, создает необходимые условия для повышения и совершенствования уровня квалификации специалистов.

Предприятие обладает современным кристальным производством с мощностью более 40 тысяч пластин в месяц, удовлетворяющим 1,5 мкм проектным нормам изготовления кристаллов методом проекционной печати, современными технологиями ионно-лучевых и плазмохимических обработок.90% типономиналов продукции, выпускаемой ПРУП "Транзистор", разработаны и освоены за последние 7 лет. Ежегодно предприятие обновляет 20-30% типономиналов производимых изделий. Доля новой продукции в объеме отгрузки составляет 20-30%. Выпускаемые предприятием изделия отвечают всем требованиям потребителей электронных компонентов, а по параметрам не уступают аналогичным приборам мировых лидеров производства полупроводниковых изделий.

На предприятии внедрена организационная система, которая уже на стадии НИР и ОКР позволяет задействовать производственные подразделения, службы серийного конструкторского и технологического сопровождения. Это дает возможность сократить сроки от начала разработки до производства изделий с полутора лет до полугодия. Благодаря указанной организационной системе, за последние годы коллективом предприятия обновлено 90% номенклатуры выпускаемых изделий, поставляемых на экспорт.

Сборочное производство предприятия оснащено автоматизи-рованными технологическими установками, разработаны технологические процессы сборки более двадцати типов корпусов: от мини-корпуса КТ-46Т (SOT-23) до 64-выводных корпусов для герметизации СБИС.

В состав предприятия входят собственное заготовительное производство, энергетическое управление по подготовке энергоносителей и технологических сред, современное инструментальное хозяйство, обеспечивающее проектирование и изготовление требуемых нестандартной оснастки и оборудования. Для разработки новых изделий и модернизации серийных на предприятии создан собственный дизайн-центр.

Более 90% своей продукции предприятие поставляет в страны дальнего зарубежья - США, Великобританию, Германию, Польшу, Венгрию, Китай и другие страны.

В настоящее время ПРУП "Транзистор" может производить более 500 наименований типономиналов разнообразных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем по следующим основным направлениям:

мощные вертикальные N - и P-канальные полевые транзисторы (MOSFET) с областью рабочих напряжений 50÷800 В;

мощные биполярные n-p-n и p-n-p транзисторы с областью рабочих напряжений 30÷1500 В и транзисторы Дарлингтона с областью рабочих напряжений 60÷300 В;

мощные и маломощные нерегулируемые и регулируемые стабилизаторы напряжения, в т. ч. с низким остаточным напряжением;

микросхемы вольт-детекторов;

мощные СВЧ-транзисторы;

мощные и маломощные аналоговые и импульсные интегральные схемы;

маломощные импульсные высоковольтные полевые и высокочастотные биполярные транзисторы;

высокочастотные варикапы, варикапные матрицы и диоды;

импульсные маломощные и мощные диодные матрицы;

микросхемы генераторов мелодий;

микропроцессорные БИС;

мощные выпрямительно-ограничительные диоды (18÷32 В, 40÷50 В);

мощные диоды Шоттки;

СБИС СОЗУ и ПЗУ.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--