Реферат: Однокристальные микропроцессорные устройства. Архитектура и виды микроЭВМ и микроконтроллеров
Характеристики отечественных однокристальных микроЭВМ
Примером последовательного развития отечественных ОмЭВМ может служить таблица А1 [6, 7]. Наиболее доведённой до практического применения являлась серия 1850. Расположение названий типов ОмЭВМ по строкам отражает развитие этого направления во времени. Заметен рост вычислительных ресурсов за счёт увеличения ёмкости ПЗУ программ, в том числе и в появлении внешнего ПЗУ программ. Улучшалась технология изготовления ПЗУ, ведущая к программированию с помощью простых аппаратных средств, расширялась система команд. Возрастала разрядность шины данных и увеличивалось значение тактовой частоты. При этом снижалась мощность, потребляемая от источника питания.
Появились встроенные таймеры, обеспечивалась обработка запроса на прерывание работы основной программы. Также появились внутренние АЦП, ЦАП и входное УВХ.
Таблица А1 - Характеристики БИС отечественных ОмЭВМ
| Тип (аналог) | Значения параметров |
| КБ1013ВК1-2 | Разрядность шины данных: 4. РПИТ : 200 мкВт. Внутреннее ПЗУ программ: 29 страниц 63×8 бит. |
| КБ1013ВК4-2 | РПИТ : 200 мкВт. Внутреннее ПЗУ программ: 44 страницы 63х8 бит. |
| К1813ВЕ1 (i2920) | fT : 6,67 МГц. Внутреннее ПЗУ программ: 4608 бит (192х24). Тип внутреннего ПЗУ: УФ ППЗУ. Внутреннее регистровое ОЗУ: 1 Кбит (40х25). Примечание: 21 команда; внутренние АЦП, ЦАП; входное УВХ. |
|
КР1814ВЕ2 (TMS1000NLL) | Разрядность шины данных: 4. Внутреннее ПЗУ программ: 1 К бит (16х64 байт). Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Примечание: 43 команды. |
|
К1814ВЕ3 (TMS1099) | Разрядность шины данных: 4. fT : 0,35 МГц. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Примечание: 43 команды. |
|
КР1814ВЕ4 (TMS1200) | Разрядность шины данных: 4. Внутреннее ПЗУ программ: 1 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Примечание: 43 команды. |
|
КР1816ВЕ31 (i8031АН) | Разрядность шины данных: 8. fT : до 12 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 4х8. UПИТ : 5 В; IПИТ : 150 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 5; 2/2. |
|
КР1816ВЕ35 (i8035) | Разрядность шины данных: 8. fT : 6 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. UПИТ : 5 В; IПИТ : 135 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 384х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8. |
|
КР1816ВЕ39 (i8039) | Разрядность шины данных: 8. fT : 11 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. UПИТ : 5 В; IПИТ : 110 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 384х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8. |
|
КР1816ВЕ48 (i8048) | Разрядность шины данных: 8. fT : 6 МГц. Внутреннее ПЗУ программ: 1 Кх8 бит. Тип внутреннего ПЗУ: УФ ППЗУ. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х8 бит. Три 8-разрядных порта ввода-вывода. |
|
КР1816ВЕ49 (i8049) | Разрядность шины данных: 8. fT : 11 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. Внутреннее ПЗУ программ: 2 Кх8 бит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное (или УФ ППЗУ, без ПЗУ). Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 256х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8. Примечание: 111 команд. |
|
КР1816ВЕ51 (i8051АН) | Разрядность шины данных: 8. fT : 12 МГц. Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кх8 бит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. |
|
КР1816ВЕ751 (i8749Н) | Разрядность шины данных: 8. fT : до 12 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 4х8. UПИТ : 5 В; IПИТ : 220 мА. Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: УФ ППЗУ. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 5; 2/2. |
|
КР1820ВЕ1 (СОР402) | Разрядность шины данных: 4. fT : 4 МГц. UПИТ : 5 В; IПИТ : 35 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 1;. Примечание: 49 команд. |
| К1820ВЕ2 (СОР420) | Разрядность шины данных: 4. fT : 4 МГц. UПИТ : 5 В; IПИТ : 35 мА. Внутреннее ПЗУ программ: 1024х8 бит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х4 бит. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 1;. Примечание: 49 команд. |
|
КР1830ВЕ31 (i80С31ВН) | Разрядность шины данных: 8. fT : до 12 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 4х8. UПИТ : 5 В; IПИТ : 18 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 5; 2/2. |
|
КР1830ВЕ35 (i80С35) | Разрядность шины данных: 8. fT : до 6 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. UПИТ : 5 В; IПИТ : 8 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 384х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8. |
|
К-во Просмотров: 306
Бесплатно скачать Реферат: Однокристальные микропроцессорные устройства. Архитектура и виды микроЭВМ и микроконтроллеров
|