Реферат: Однокристальные микропроцессорные устройства. Архитектура и виды микроЭВМ и микроконтроллеров

(i80С48)

Внутреннее ПЗУ программ: 1 Кх8. Тип внутреннего ПЗУ: масочное.

КР1830ВЕ51

(i80С51ВН)

Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное.

КР1830ВЕ753

(i87С51)

Разрядность шины данных: 8. Порты ввода-вывода: (кол-во) х (разрядн.): 4х8. U_ПИТ : 5 В. Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: УФ ППЗУ. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 5; 2/2.

КР1835ВЕ31

(i80C31ВН)

Разрядность шины данных: 8. f_T : до 12 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 4х8. U_ПИТ : 5 В; I_ПИТ : 13 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 64 Кх8. Внешняя память данных: 64 Кх8. Кол-во таймеров/разрядность: 2/16.

КР1835ВЕ39

(i8039)

Разрядность шины данных: 8. Порты ввода-вывода: (кол-во) х (разрядн.): 3х8. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. Внешняя память программ: 4 Кх8. Внешняя память данных: 256х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.

КР1835ВЕ49

(i8049)

Внутреннее ПЗУ программ: 2 Кх8. Тип внутреннего ПЗУ: масочное.

КР1835ВЕ51

(i80C51ВН)

Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбит. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. 1835ВГ14 (вместо 1816ВЕ35, ВЕ49) Разрядность шины данных: 8. f_T : 8 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во) х (разрядн.): 27 линий. U_ПИТ : 5 В; I_ПИТ : 1 мА. Внутреннее ПЗУ программ: 2 Кбайт. Внутреннее регистровое ОЗУ: 256 байт. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.

КР1850ВЕ31

(i8031)

f_T : 3,5–12 МГц. U_ПИТ : 5 В; I_ПИТ : 120 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. КР1850ВЕ631 f_T : 3,5–12 МГц. U_ПИТ : 5 В; I_ПИТ : 120 мА. Внутреннее регистровое ОЗУ: 128х8 бит. КР1850ВЕ651 Внутреннее ПЗУ программ: 32 Кбит.

КР1850ВЕ35

(i8035)

. f_T : 8 МГц.

КР1850ВЕ48

(i8048)

Разрядность шины данных: 8. f_T : 1–6 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. U_ПИТ : 5 В. Внутреннее ПЗУ программ: 1 Кбайт. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 64 байт. Внешняя память программ: 2 Кх8. Внешняя память данных: 256х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: –; 2/1.

КР1850ВЕ50

(i8050)

Разрядность шины данных: 8. f_T : 1–6 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. Внутреннее ПЗУ программ: 4 Кбайт. Тип внутреннего ПЗУ: масочное. Внутреннее регистровое ОЗУ: 256 байт. Число источников прерываний; внешних выводов/приоритет: 2/1. КР1850ВЕС48 f_T : до 11 МГц. Порты ввода-вывода: (кол-во)х(разрядн.): 3х8. Р_ПИТ : 5 мВт (при частоте 1 МГц). Внешняя память программ: 2 Кх8. Внешняя память данных: 256х8. Кол-во таймеров/разрядность: 1/8.

Приложение Б

Характеристики отечественных и зарубежных однокристальных микроконтроллеров

В таблице Б.1 показано последовательное развитие отечественных ОмК [6, 7]. Исходные опытные серии, выпущенные ещё в СССР, не были продолжены в связи с экономической ситуацией в стране в конце 80-х – начала 90-х гг. прошлого столетия. Но первые строки таблицы показывают, что данное направление в нашей стране развивалось в русле мировых воззрений и тенденций.

Таблица Б.1 - Характеристики отечественных БИС ОмК

Тип	Адресуемая память, Кбайт	Разрядность, бит	Память	Тактовая частота, МГц	Число команд (обрабатываемых прерываний)	Таймер, бит	Ввод-вывод	Примеч.
НТ8020	« 1 2 3 4 5 6 » К-во Просмотров: 308 Бесплатно скачать Реферат: Однокристальные микропроцессорные устройства. Архитектура и виды микроЭВМ и микроконтроллеров >>> Скачать <<< Меню Поиск