Реферат: Особенности конструирования радиотехнической аппаратуры

N₂ - количество интегральных микросхем

l₃ - интенсивность отказов керамических монолитных конденсаторов

N₃ - количество керамических монолитных конденсаторов

l₄ - интенсивность отказов контактных площадок

N₄ - количество контактных площадок

l₅ - интенсивность отказов кремниевых диодов

N₅ - количество кремниевых диодов

l₆ - интенсивность отказов кремниевых транзисторов

N₆ - количество кремниевых транзисторов

l₇ - интенсивность отказов металлодиэлектрических резисторов

N₇ - количество металлодиэлектрических резисторов

l₈ - интенсивность отказов отверстий

N₈ - количество отверстий

l₉ - интенсивность отказов пайки

N₉ - количество пайки

l₁₀ - интенсивность отказов переменных пленочных резисторов

N₁₀ - количество переменных пленочных резисторов

l₁₁ - интенсивность отказов печатной платы

N₁₁ - количество печатной платы

l₁₂ - интенсивность отказов пленочных подстроечных резисторов

N₁₂ - количество пленочных подстроечных резисторов

l₁₃ - интенсивность отказов проводников

N₁₃ - количество проводников

l₁₄ - интенсивность отказов разъемов

N₁₄ - количество разъемов

l₁₅ - интенсивность отказов электролитических конденсаторов

N₁₅ - количество электролитических конденсаторов

Найдем среднюю наработку до первого отказа по формуле:

Тср =1/L=1/ 232,279305·10-6 =4305,16 час