Реферат: Приборы полупроводниковые

Активная часть базовой области биполярного транзистора (AktiverTeildesBasisgebieteseinesbipolarenTransistors, Activepartofbaseregion) – часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.

Пассивная часть базовой области биполярного транзистора (PassiverTeildesBasisgebieteseinesbipolarenTransistors, Passivepartofbaseregion) – часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.

Проводящий канал (Kanal, Channel) – область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда.

Исток (Source, Sourse) – электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.

Сток (Drain, Drain) – электрод полевого транзистора, через который из проводящего канала вытекают носители заряда.

Затвор (Gate, Gate) – электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал.

Структура полупроводникового прибора (Структура, StruktureinesHalbleiterbauelementes, Structure) – последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций.

Примечания: 1. Примеры структур полупроводниковых приборов: p­‑n; p‑n‑p; p‑i‑n; p‑n‑p‑n и др.

2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик.

Структура металл-диэлектрик-полупроводник (Структура МДП, Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Struktur (MIS-Struktur), MIS-Strusture) – структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника.

Структура металл-окисел-полупроводник (Структура МОП, Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS-Struktur), MOS-Strusture) – структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника.

Мезаструктура (Mesastruktur, Mesa-structure) – структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием.

Обедненный слой (Verarmungsschicht, Depletionlayer) – слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизированных доноров и акцепторов.

Запирающий слой (Sperrschicht, Barrierregion (layer)) – обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом.

Обогащенный слой (Anreicherungsschicht, Enrichedlayer) – слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизированных доноров и акцепторов.

Инверсный слой (Inversionsschicht, Invertionlayer) – слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности

или поля контактов разности потенциалов.

Явления в полупроводниковых приборах

Прямое направление для p ‑ n перехода (Durchlassrichtungdespn‑Uberganges, ForwarddirectionofaP‑Njunction) – направление приложения напряжения, при котором происходит понижение потенциального барьера в p‑n переходе. Направление постоянного тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление.

Обратное направление для p - n перехода (Sperrichtung des pn-Uberganges, Reverse direction of а P-N junction) – направление приложения напряжения, при котором происходит повышение потенциального барьера в p-n переходе. Направление постоянного тока, в котором p-n переход имеет наибольшее сопротивление.

Пробой p - n перехода (Durchbruch des pn-Uberganges, Breakdown оf a P-N junction) – явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижения обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения. (Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя).

Электрический пробой p - n перехода (Elektrischer Durchbruch des pn-Uberganges, P-N junction eltctrical breakdown) – пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом.

Лавинный пробой p - n перехода (Lawinendurchbruch des pn-Uberganges, P‑N junction avalanche breakdown) – электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля.

Туннельный пробой p - n перехода (Tunneldurchbruch des рn-Uberganges, Zenner (tunnel) breakdown) – электрический пробой p-n перехода, вызванный туннельным эффектом.

Тепловой пробой p - n перехода (Thermischer Durchbruch des pn-Uberganges, P‑N junction thermal breakdown) – пробой p-n перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом.

Модуляция толщины базы (Modulation der Basisbreite, Base thickness modulation) – изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу.

Эффект смыкания ("прокол базы", Durchgreifeffekt, punch-through) – смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода.

Накопление неравновесных носителей заряда в базе (Speicherung von Uberschussladungstragern in der Basis, Minority carrier storage in the base) – увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда.

Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе (Abbau von Uberschussladungstragern in der Basis, Excess carrier resorption in the base) – уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации.

Восстановление прямого сопротивления полупроводникового диода (Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halblelterdiode, Forward recovery) – переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.