Реферат: Приборы полупроводниковые
Коммутационный полупроводниковый диод (Halbleiter-HF-Schaltdiode) – полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.
Регулируемый резистивный полупроводниковый диод (PIN‑Diode, PIN diode) – полупроводниковый p‑i‑n диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения.
Детекторный полупроводниковый диод (Halbleiterdemodulatordiode, Detector diode) – полупроводниковый диод предназначенный для детектирования сигнала.
Ограничительный полупроводниковый диод (Halbleiterbegrenzerdiode, Microwave limiting diode) – полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения.
Умножительный полупроводниковый диод (Halbleitervervielfacherdiode, Semiconductor frequency multiplication diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты.
Модуляторный полупроводниковый диод (Halbleitermodulatordiode, Semiconductor modulator diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала.
Диод Шоттки (Schottky-Diode, Schottky (-barrier) diode) – полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника.
Варикап (Kapazitatsdiode, variable capacitance diode) – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Параметрический полупроводниковый диод (Параметрический диод, Halbleitervaraktordiode, Semiconductor parametric diode) – варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.
Полупроводниковый стабилитрон (Стабилитрон, Ндп. Зенеровский диод, Kalbleiter-Z-Diode, Voltage reference diode) – полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.
Полупроводниковый шумовой диод (Halbleiterrauschdiode, Semiconductor noise diode) – полупроводниковый прибор являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.
Биполярный транзистор (Транзистор, Bipolarer Transistor, Bipolar transistor) – полупроводниковый прибор с двумя взаимодействуюшими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.
Бездрейфовый транзистор (Ндп. Диффузионный транзистор, Diffusionstransistor, Diffusion transistor) – биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии.
Дрейфовый транзистор (Drifttransistor, Drif (diffased) transistor) – биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа.
Точечный транзистор (Ндп. Точечно-контактный триод, Spitzentransistor, Point contact transistor) – биполярный транзистор с точечными переходами.
Плоскостной транзистор (Flachentransistor, Junction transistor) – биполярный транзистор с плоскостными переходами.
Лавинный транзистор (Lawinentransistor, Avalanche transistor) – биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.
Полевой транзистор (Ндп. Канальный транзистор, Feldeffekttransistor (FET), Field-effect transistor) – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.
Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.
Полевой транзистор с изолированным затвором (Feldeffekttranastor mit isoliertelem Gate, Insulated-gate FET) – полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.
Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор, MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET), MIS-transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник (МОП-транзистор, MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET), MOS-transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.
Симметричный транзистор (Bidirektionaltransistor, Bi-directional transistor) – биполярный или полевой транзистор сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.
Тиристор (Thyristor, Thyristor) – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
Диодный тиристор (Динистор, Thyristordiode, Diode thyristor) – тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры.
Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (Ruckwarts sperrende Тhyristordiode, Reverse blockings diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.
Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende Thyristordiode, Reverse conducting diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжения не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.
Симметричный диодный тиристор (Диак, Zweirichtungsthyristordiode, Bi-directional diode thyristor) – диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях.