Реферат: Приборы полупроводниковые
Оптоэлектронный коммутатор нагрузки – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе.
Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока – оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока.
Оптоэлектронный коммутатор переменного тока – оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока.
Оптоэлектронный переключатель логических сигналов – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе.
Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.
Октрон – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу.
Отражательный октрон – октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от излучателя.
Щелевой октрон – октрон, в котором между излучателем и приемником излучения для управления световым потоком устанавливают светонепроницаемую заслонку.
Волстрон – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу.
Примечание. Излучатель и приемник излучения могут иметь схемы электронного обрамления.
Оптопреобразователь – оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами, работающий в режиме передачи и (или) приема оптического излучения.
Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии.
Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам.
Элементы конструкции
Вывод полупроводникового прибора (Anschluss eines Halbleiterbauelementes, Terminal of a semiconductor device) – элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.
Основной вывод полупроводникового прибора (Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes, Main terminal) – вывод, через который протекает основной ток.
Катодный вывод полупроводникового прибора (Katodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Cathode terminal of a semiconductor device) - вывод, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь.
Анодный вывод полупроводникового прибора (Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Anode terminal of a semiconductor device) – вывод, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи.
Управляющий вывод полупроводникового прибора (Gate terminal of a semiconductor device) – вывод, через который течет, только ток управления.
Корпус полупроводникового прибора (Gehause eines Halbleiterbauelementes, Package of a semiconductor device) – часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов.
Бескорпусный полупроводниковый прибор (Gehauseloses Halbleiterbauelement, Beam lead semiconductor device) – полупроводниковый прибор, защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре.
Полупроводниковый излучающий элемент – часть полупроводникового прибора отображения информация, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме.
Электрод полупроводникового прибора (Electrodeofasemiconductordevice) – часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом.