Реферат: Приборы полупроводниковые
Под словом "быстрый" понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления.
Закрытое состояние тиристора (Blockierzustand eies Thyristors, Off-state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения.
Открытое состояние тиристора (Durchlasszustand eines Thyristors, On-state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики.
Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении (Sperrzustand eines Thyristors, Reverse blocking state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее участку вольтамперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя.
Переключение тиристора (Umschalten eines Thyristors, Switching of a thyristors) – переход тиристора из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на выводе управляющего электрода.
Включение тиристора (Zunden eines Thyristors, Gate triggering of a thyristor) – переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления.
Выключение тиристора (Ausschalten eines Thyristors, Gate turning-off of a thyristor) – переход тиристора из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления.
Виды полупроводниковых приборов
Полупроводниковый прибор (Halbleiterbauelement, Semiconductor device) – прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника.
Силовой полупроводниковый прибор (Halbleiterleistungsbauelement, Semiconductor power device) – полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств.
Полупроводниковый блок (Semiconductor assembly) – совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.
Набор полупроводниковых приборов (Semiconductor assembly set) – совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам.
Полупроводниковый диод (Halbleiterdiode, Semiconductor diode) – полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами.
Точечный полупроводниковый диод (Halbleiterspitzendiode, Point contact diode) – полупроводниковый диод с точечным переходом.
Плоскостной полупроводниковый диод (Halbleiterflachendiode, Junction diode) – полупроводниковый диод с плоскостным переходом.
Выпрямительный полупроводниковый диод (Halbleiterleichrichterdiode, Semiconductor rectifier diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.
Лавинный выпрямительный диод (Avalancherectifierdiode) – выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольтамперной характеристики.
Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем (Controlled-avalancherectifierdiode) – выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольтамперной характеристики.
Выпрямительный полупроводниковый столб (Semiconductor rectifier stack) – совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода.
Выпрямительный полупроводниковый блок (Semiconductor rectifier assembly) – полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов.
Импульсный полупроводниковый диод (Halbleiterimpulsdiode, Signal diode) – полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.
Полупроводниковый диод с резким восстановлением обратного сопротивления (Ladungsspeicherdiode, Snap-off (step-recovery) diode) – полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого восстановления обратного сопротивления, который используют для целей умножения частоты и формирования импульсов с малым временем нарастания.
Диод с накоплением заряда (Snap-off (steprecovery) diode) – импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания.
Туннельный полупроводниковый диод (Halbleitertunneldiode, Tunnel diode) – полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости.
Обращенный полупроводниковый диод (Halbleiterunitunneldiode, Unitunnel (backward) diode) – полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.
Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод (UHF-Halbleiterdiode, Microwave diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала.
Лавинно-пролетный полупроводниковый диод (Halbleiterlawinenlaufzeitdiode, Impact avalanche-(and-) transit time diode) – полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
Инжекционно-пролетный полупроводниковый диод (Halbleiterinjektionslaufzeitdiode, Injection (and-) transit time diode) – полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
Переключательный полупроводниковый диод (Halbleiterschaltdiode, Switching diode) – полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление – при обратном, предназначенный для управления уровнем мощности сигнала.
Смесительный полупроводниковый диод (Halbleitermischdiode, Semiconductor mixer diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.