Реферат: Расчет полевого транзистора

Таблица 1.2 – Значения тока эмиттера при различных значениях UЭ


IЭ при UК = 0 В

IЭ при UК = -  В

IЭ при UК = 0.03 В

0 -0.026 0.057
-0.012 -0.039 0.045
-0.031 -0.057 0.027

Продолжение таблицы 1.2


-0.057 -0.084 -3.552e-10
-0.097 -0.123 -0.039
-0.154 -0.181 -0.097
-0.239 -0.265 -0.182
-0.363 -0.390 -0.306
-0.546 -0.573 -0.489
-0.815 -0.841

-0.758


Для построения входной характеристики нужны значения тока базы


IБ = -(IЭ + IК ) (1.3)


Таблица 1.3 – Значения тока базы


IБ [мА]

0 0.021 -0.070

3.954e-3

0.025 -0.066
8.033e-3 0.029 -0.062
0.031 0.052 -0.038
0.070 0.091 4.754e-4
0.128 0.149 0.058
0.213 0.233 0.143
0.337 0.358 0.267
0.520 0.541 0.450
0.788 0.809 0.719

По значениям токов и напряжений построим зависимость тока базы от напряжения UБЭ представленную на рисунке 1.2.



Рисунок 1.2 – Входные характеристики транзистора


2 Расчет концентрации не основных носителей


Исходные данные:

  • Wе = 3,0 мм – ширина эмиттерной области;

  • Wб = 4,9 мкм – ширина базовой области;

  • Wк = 5,1 мм – ширина коллекторной области;

  • Х = 10 мм


2.1 В эмиттерной области:



где UЭ = 0,005B



Рисунок 2.1 – График распределения концентрации от координат в эмиттерной области


2.2 В базовой области:



UЭ = 0.005 В; UК = 1.4 В.


К-во Просмотров: 490
Бесплатно скачать Реферат: Расчет полевого транзистора