Реферат: Расчет полевого транзистора

1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла – Эберса.

1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора

Исходные данные:

• q = 1,6*10 ^–19 Кл – заряд электрона;

• n_i = 1,5*10¹⁰ см ^–3 – концентрация, при температуре 300 К;

• А = 1*10 ^–6 см² – площадь p-n перехода;

• Д_nк = 34 см²/с – коэффициент диффузии электронов в коллекторной области;

• Д_рб = 13 см²/с – коэффициент диффузии дырок в базовой области;

• L_n = 4.1*10 ^–4 м – диффузионная длина электрона;

• U_Т = 25,8 мВ – температурный потенциал при температуре 300 К;

• W_б = 4,9 мм – ширина базовой области;

• N_дб = 1,1*10¹⁶ см ^–3 – донорная концентрация в базовой области;

• N_ак = 3*10¹⁷ см ^–3 – акцепторная концентрация в коллекторной области;

(1.1)

U_Э – const

-U_К = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5;

Находим значение I_К , затем меняя U_Э , при тех же значениях U_К находим значения тока.

Таблица 1.1 – Значения I_К при разных значениях U_Э

IК при UЭ = 0 В	IК при UЭ =0.005 В	IК при UЭ = 0.01 В	IК при UЭ =0.015 В	IК при UЭ = 0.02 В
0	0	0	0	0
8.429e-3	5.598e-3	0.021	0.029	0.039
0.023	0.014	0.035	0.043	0.053
6.749	0.028	0.038	0.046	0.056
0.026	0.032	0.039	0.047	0.057
0.026	0.032	0.039	0.047	0.057
0.026	0.032	0.039	0.047	0.057
0.026	0.032	0.039	0.047	0.057
0.026	0.032	0.039	0.047	0.057
0.026	0.032	0.039	0.047	0.057

По полученным данным построим график зависимости представленный на рисунке 1.1

Рисунок 1.1 – Выходная характеристика транзистора

1.2 Расчет и построение входных характеристик транзистора

(1.2)

U_Э = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--