Реферат: Расчет полевого транзистора

1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла – Эберса.

1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора

Исходные данные:

• q = 1,6*10 ^–19 Кл – заряд электрона;

• n_i = 1,5*10¹⁰ см ^–3 – концентрация, при температуре 300 К;

• А = 1*10 ^–6 см² – площадь p-n перехода;

• Д_nк = 34 см²/с – коэффициент диффузии электронов в коллекторной области;

• Д_рб = 13 см²/с – коэффициент диффузии дырок в базовой области;

• L_n = 4.1*10 ^–4 м – диффузионная длина электрона;

• U_Т = 25,8 мВ – температурный потенциал при температуре 300 К;

• W_б = 4,9 мм – ширина базовой области;

• N_дб = 1,1*10¹⁶ см ^–3 – донорная концентрация в базовой области;

• N_ак = 3*10¹⁷ см ^–3 – акцепторная концентрация в коллекторной области;

(1.1)

U_Э – const

-U_К = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5;

Находим значение I_К , затем меняя U_Э , при тех же значениях U_К находим значения тока.

Таблица 1.1 – Значения I_К при разных значениях U_Э

По полученным данным построим график зависимости представленный на рисунке 1.1

Рисунок 1.1 – Выходная характеристика транзистора

1.2 Расчет и построение входных характеристик транзистора

(1.2)

U_Э = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--