Реферат: Расчет полевого транзистора

Для вычисления h – параметров используем характеристики транзистора полученные с использованием модели Молла – Эберса.

Рисунок 8.1 – Выходные характеристики транзистора

U_КЭ =E_K – I_KR_H,

E_K = I_KR_H + U_КЭ,

Е_К = 0,057*10+(-5)=4,43

Рисунок 8.2 – Входные характеристики транзистора

Воспользуемся формулами связи между параметрами транзистора при различных включениях.

9 Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода

10 Расчет дифферинцеальной емкости эмиттерного перехода

11 Расчет эффекта Эрли

При U_Э = const, концентрация носителей в базовой области становится функцией коллекторного напряжения:

UK

0 0.2 0.4 0.8 1.2 1.4