Таблица 1.2 – Значения тока эмиттера при различных значениях U_Э

IЭ при UК = 0 В	IЭ при UК = -  В	IЭ при UК = 0.03 В
0	-0.026	0.057
-0.012	-0.039	0.045
-0.031	-0.057	0.027

Продолжение таблицы 1.2

-0.057	-0.084	-3.552e-10
-0.097	-0.123	-0.039
-0.154	-0.181	-0.097
-0.239	-0.265	-0.182
-0.363	-0.390	-0.306
-0.546	-0.573	-0.489
-0.815	-0.841	-0.758

Для построения входной характеристики нужны значения тока базы

I_Б = -(I_Э + I_К ) (1.3)

Таблица 1.3 – Значения тока базы

IБ [мА]
0	0.021	-0.070
3.954e-3	0.025	-0.066
8.033e-3	0.029	-0.062
0.031	0.052	-0.038
0.070	0.091	4.754e-4
0.128	0.149	0.058
0.213	0.233	0.143
0.337	0.358	0.267
0.520	0.541	0.450
0.788	0.809	0.719

По значениям токов и напряжений построим зависимость тока базы от напряжения U_БЭ представленную на рисунке 1.2.

Рисунок 1.2 – Входные характеристики транзистора

2 Расчет концентрации не основных носителей

Исходные данные:

• W_е = 3,0 мм – ширина эмиттерной области;

• W_б = 4,9 мкм – ширина базовой области;

• W_к = 5,1 мм – ширина коллекторной области;

• Х = 10 мм

2.1 В эмиттерной области:

где U_Э = 0,005B

Рисунок 2.1 – График распределения концентрации от координат в эмиттерной области

2.2 В базовой области:

U_Э = 0.005 В; U_К = 1.4 В.