Реферат: Технология литейного производства
2 – приемное устройство (воронка);
3 – питатель;
4 – отливка;
5 – стержень.
По рис.1.:
Н = Нв.о. + hв – b/2, (19)
где Нв.о. – высота верхней опоки, Нв.о. = 15см;
hв – высота уровня металла в воронке, hв =6см (высота воронки Нв = 75 мм) [10, с.44];
b - высота стержня, b = 18.4 см.
Н = 15 + 6 – 18.4/2 = 11.8 см.
Р = hм.в. – b/2, (20)
где hм.в. – высота модели верха, hм.в. = 26.25 см.
Р = 26.25 – 9.2 = 17.05 см.
С = hм.в. + hм.н. (21)
где hм.н. – высота модели низа, hм.н. = 15.5 см.
С = 26.25 + 15.5 = 41.75 см.
Тогда рабочий напор равен:
Коэффициент расхода л.с.:
, (22)
Для соотношения (10):
.
Время заливки определяется по формуле Беленького, Дубицкого, Соболева:
, (23)
где S – коэффициент времени, для стальных отливок S = 1.4¸1.6 [10, с.58], принимаем S = 1.5;
d - толщина определяющей стенки, d = 15мм;
G – масса отливки вместе с л.с., кг.
.
Тогда SFп равна:
Скорость заливки:
V = , (24)
Общая формула для определения площадей сечения остальных элементов л.с.:
Fi = Fп *ki *Pi , (25)
где Fп – площадь одного питателя, см2 ;
ki – отношение площади i – ого элемента л.с. к суммарной площади питателей, обслуживаемых i-ым элементом;
Pi – число питателей, обслуживаемых i – ым элементом, Pi = 4.
Для питателя:
.
Для литникового хода:
Fл.х. = 4.21*1.15*4 = 19.36см2 .
Для стояка:
Fст = 4.21*1.3*4 = 21.89см2 .
Рис.2. Сечения элементов литниковой системы
1.7.Расчет размеров прибылей и холодильников
Усадочные раковины образуются в отливках вследствие уменьшения объема жидкого металла при охлаждении и, в особенности, при переходе его из жидкого состояния в твердое. Они относятся к числу основных пороков отливок, с которыми литейщикам приходится повседневно работать. Для борьбы с усадочными раковинами применяются литейные прибыли, представляющие собой резервуары жидкого металла, из которых происходит пополнение объемной усадки отдельных частей отливки, расположенных вблизи прибыли.
От эффективности работы прибыли зависит качество отливки и процент выхода годного литья. Установка прибылей способствует выполнению принципа направленной кристаллизации.