Реферат: Технология получения монокристаллического Si
Физико-химические основы технологии электронных средств
Реферат на тему:
Технология получения монокристаллического Si
Преподаватель: Григорьев Виктор Петрович
Студент: Малов М.С.
Группа: РТ2-41
Москва 2004
План :
|
Полупроводниковая технология |
3 |
|
Кремний |
|
|
4 |
|
4 |
|
Этапы производства кремния |
9 |
|
Получение технического кремния |
10 |
|
Получения трихлорсилана (ТХС) |
11 |
|
Очистка ТХС |
13 |
|
Другие методы получения газовых соединений Si |
15 |
|
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <-- К-во Просмотров: 385
Бесплатно скачать Реферат: Технология получения монокристаллического Si
|