1. Оборудование для термического окисления

2. Модель Дила-Гроува

3. Зависимость толщины окисла от времени окисления

4. Особенности роста тонких и толстых плёнок двуокиси кремния

5. Свойства плёнок SiO2

Список литературы

1. Оборудование для термического окисления

Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры T = 900 - 1200 ºС. Окислительной средой может быть сухой или влажный кислород. Схематично вид установки показан на рис. 1 (в современных установках пластины в подложкодержателе располагаются вертикально).

Рис. 1

Требования к оборудованию:

· контролируемая с точностью до 1 градуса температура подложкодержателя,

· обеспечение плавного повышения и понижения температуры в реакторе (двухстадийный нагрев),

· отсутствие посторонних частиц в реакторе (подложкодержатель сначала вводится в трубу реактора, а затем опускается на дно),

· отсутствие посторонних примесей, в частности, ионов натрия на внутренней поверхности реактора (с целью их удаления проводится предварительная продувка трубы реактора хлором),

· обеспечение введения кремниевых пластин в реактор сразу после их химической очистки.

Химическая реакция, идущая на поверхности кремниевой пластины, соответствует одному из следующих уравнений:

· окисление в атмосфере сухого кислорода (сухое окисление): Si_тверд. + O₂ = SiO₂ ;

· окисление в парах воды (влажное окисление): Si_тверд. +2H₂ O = SiO₂ + 2H₂ ;

· термическое окисление в присутствии хлора (хлорное окисление);

· термическое окисление при взаимодействии молекул воды, синтезированных из атомарно чистых кислорода и водорода непосредственно у поверхности кремния, с атомами кремния (пирогенное окисление).

Время окисления в стандартных технологических процессах составляет 4 - 5 часов.

Значительным достижением в совершенствовании технологии окисления кремния явилось добавление в окислительную среду в процессе окисления хлорсодержащих компонентов. Это привело к улучшению стабильности порогового напряжения полевых МДП транзисторов, увеличению напряжения пробоя диэлектриков и повышению скорости окисления кремния. Главная роль хлора в пленках двуокиси кремния (обычно с концентрацией хлора 10¹⁶ - 10²⁰ см^-3 ) заключается в превращении случайно проникших в SiO2 примесных ионов натрия или калия в электрически неактивные.

2. Модель Дила-Гроува

Методом радиоактивного маркера показано, что рост SiO2 происходит за счет диффузии кислорода к поверхности кремния . Выход SiO2 за границы начального объема, занимаемого кремнием, обусловлен их разными плотностями.

Для теоретического обоснования было предложено множество моделей, основанных на объемной диффузии заряженных частиц или нейтральных пар, а также эффектах туннелирования электронов, кинетике адсорбции, образования пространственного заряда, изменении граничных концентраций диффундирующих частиц в зависимости от толщины пленки и многих других.

К сожалению, ни один из указанных механизмов не способен полностью объяснить обширный класс имеющихся к настоящему времени экспериментальных данных. Что касается получения пленок двуокиси кремния, то кинетику ее роста в широком диапазоне толщин SiO2 можно объяснить, исходя из достаточно простой модели Дила-Гроува.

Процесс окисления происходит на границе Si - SiO2, поэтому молекулы окислителя диффундируют через все предварительно сформированные слои окисла и лишь затем вступают в реакцию с кремнием на его границе. Согласно закону Генри, равновесная концентрация твердой фазы прямо пропорциональна парциальному давлению газа P:

C* = HP, где

C*- максимальная концентрация окислителя в газе для данного значения давления P,

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--