Содержание

Задание

Обозначение основных величин

Основная часть

1. Расчет собственной концентрации электронов и дырок

2. Расчет контактной разности потенциалов

3. Расчет толщины слоя объемного заряда

4. Расчет барьерной емкости

Список используемой литературы

Задание

1. Вывести выражение для емкости резкого p-n перехода в случае полностью ионизированных примесей

2. Рассчитать величину барьерной емкости резкого p-n перехода при 300 К и напряжении V. Считать что примеси полностью истощены, а собственная проводимость еще очень мала.

3. Построить график зависимости барьерной емкости от температуры.

4. Составить программу вычисления значений барьерной емкости для графика.

Полупроводник	Ge
V ,В	0
Nd ,см	1,010
Na ,см	1,010
S ,мм	0,15

Обозначение основных величин

DE – ширина запрещенной зоны.

[DE] =1,810 Дж=1,13 эВ.

e – электрическая постоянная.

e=8,8610.

– подвижность электронов.

[]=0,14 м/(Вс)

– подвижность дырок.

[]=0,05 м/(Вс)

m– эффективная масса электрона.

m=0,33m=0,339,110=3,00310кг

m– эффективная масса дырки.

m=0,55m=0,559,110=5,00510кг

m – масса покоя электрона.

m =9,110кг.

– время релаксации электрона.

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--