Курсовая работа: Разработка конструкции и технологии микроэлектронного варианта формирователя опорной частоты 10 МГц

,

Определим тепловую проводимость между нагретой зоной и корпусом:

.

Рассчитываем среднеповерхностную температуру нагретой зоны:

°С.

Определяем температуру в центре нагретой зоны . Экспериментально установлено, что для конструкций микроблоков, выполненных на металлических ФЯ, перегрев в центре нагретой зоны не превышает 2…5°С. Поэтому принимаем

°С.

3.3 Оценка требуемой системы охлаждения

Определим тепловой поток

По перечню элементов найдём допустимую рабочую температуру наименее теплостойкого элемента.

Наименее теплостойкий элемент - навесной резистор Р1-8 с

Определим минимальное давление окружающей среды:

По ТЗ понижение давления при ракетной РЭА составляет 2.5КПа, следовательно:

мм рт.ст.

Поверхностная плотность теплового потока:

где: Кн - поправочный коэффициент на давление окружающей среды.

Тогда:

По рисунку 13 определяем систему охлаждения

Для этого найдём допустимый перегрев в конструкции

Охлаждение системы можно обеспечить естественным и принудительным воздушным охлаждением.

4. Оценка надёжности конструкции

Определим электрическую нагрузку навесных компонентов.

Электрическую нагрузку транзистора принимаем равной 0,7.

Электрическую нагрузку резистора определяется отношением номинальной рассеиваемой мощности на навесном резисторе R1 (38.8мВт), к допустимой рассеиваемой мощности (0,63Вт). Т.е.