Курсовая работа: Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем
Напилювання резистивного шару виконують іоноплазмовим методом, який має такі переваги у порівнянні з методом термічного випаровування у вакуумі: можливість автоматизації процесу напилювання; відсутність наважок; тривалий термін служби мішені; високе відтворення тонкоплівкових резисторів, а також високі електрофізичні властивості напилених шарів; підвищена адгезія напиленого шару з підкладкою [5].
Сутність процесу напилювання електропровідних шарів (ванадій-мідь і ванадій-алюміній) полягає в осадженні на підкладку атомів вихідного матеріалу, що випаровуються в результаті впливу високої температури й електричного поля. Напилювання ведеться на установці "УВН-2-М2" у два етапи: на першому етапі проводиться напилювання шару з ванадію; на другому - напилювання провідного шару з міді чи алюмінію.
Виготовлення й очищення наважок, застосовуваних для напилювання провідних шарів, проводиться на спеціально обладнаному робочому місці. Розчини для очищення наважок (для ванадія, міді і алюмінію, обробленого в лузі, - розчин азотної кислоти в деіонізованій воді, для алюмінію - розчин гідрату окису калію в деіонізованій воді) готують оператори. Саме очищення ведеться у витяжній шафі занурюванням у ванну з фторопласта, армованого титановою сіткою [5].
Завдяки простоті, гнучкості і постійному удосконаленню технологія
Товсто-плівкових мікросхем усе ширше застосовується у виробництві. Із застосуванням електронно-обчислювальних машин і створенням гнучких автоматизованих систем виробництва, переходом до безлюдного виробництва досягається вивільнення значної кількості робочих місць, поліпшення умов праці і підвищення культури виробництва.
У вітчизняній практиці використовуються автоматизовані комплекси, побудовані на агрегатно-модульному принципі. Кожний автоматизований модуль оснащений завантажувально-розвантажувальними пристроями. Устаткування, об'єднане в комплекс, дозволяє виготовляти 600 мікрозборок за 1 годину. Технологічне устаткування, що легко вбудовується в автомати-чні лінії: автомати трафаретного друку, лазерної підгонки і контролю, роботизовані робочі місця для укладання електрорадіоелементів на підкладки, автоматичні завантажувально-розвантажувальні пристрої, успішно застосовується при виготовленні гібридних інтегральних мікросхем невеликими партіями, а за необхідності його легко перебудувати на випуск нових виробів. Тому технологію товсто-плівкових мікросхем і мікрозборок застосовують для дрібносерійних і дослідних партій [5].
Розділ 2. Розробка конструкторської документації ГІМС
2.1 Розробка комутаційної схеми
Розробка комутаційної схеми з’єднань включає в себе перетворення даної електричної схеми з метою складання схематичного плану розміщення елементів і з’єднань між ними на платі мікросхеми.
При проектуванні топології ГІМС необхідно зважити на те, що:
-розмір підкладки вибирають відповідно до табл.2; В даній роботі він 12*8.
-периферійні контактні площадки розташовують по чотирьох чи двох протилежних боках підкладки (для лінійних ГІМС допускається розміщення з одного боку).
-кожна гібридна ІМС повинна мати ключ-збільшену контактну площадку чи спеціальний знак, розміщений в нижньому лівому куту на більшому боці підкладки; ключ креслять в процесі проектування топології. В роботі ключ поставлений у верхньому лівому куті.
Мінімальна ширина провідника-50мкм.
Провідники розводяться таким чином, щоб вони не перетиналися в одній площі. Якщо це неможливо, тоді ставляться перемички. В даній схемі перемичок немає, виводи не перетинаються.
Мінімальна ширина плівкових провідників 0.05 мм.
Мінімальна відстань від дротяного провідника чи виводу до краю контактної площини, чи до краю плівкового провідника, не захищеного ізоляцією 0.2 мм.
Відстань від кристала до контактної площадки не менше 0.4 мм. Розміри контактної площадки min 0.4*0.4. Форма прямокутна.
Відстань. Мінімальна відстань між контактними площадками, доріжками і резисторами-0.2 мм.
Мінімально допустима відстань від плівкових елементів до краю плати 200 мкм (резистори, доріжки).
Відстань від кристала до контактної площадки не менше 0.4 мм.
Контактні площадки розташовують на відстані не менше 500 мкм від краю підкладки.
Рисунок 2. Комутаційна схема
2.2 Розрахунок плівкових та навісних елементів
Для розробки ГІМС нам дана схема електрично-принципова. Схема електрично принципова – це документ, який визначає повний склад електричних елементів і електричного зв’язку між ними. Вона дає детальну уяву про принципи роботи нашого виробу. По схемі розроблюють конструкцію, а також використовують її при виготовленні і експлуатації виробу.
За електричною схемою розробляється мікросхема. Мікросхема-пристрій розміром порядку 1мм2 і менше; зазвичай виконує яку-небудь самостійну функцію, наприклад складання поданих на неї електричних імпульсів, і називається інтегральною. Окремі елементи мікросхеми, наприклад провідники, резистори, можуть бути утворені шляхом нанесення плівок на діелектричну пластинку-підкладку (плівкові елементи). Це плівкова технологія виготовлення. Інші елементи, які називаються навісними, наприклад напівпровідникові діоди і транзистори, приклеюють і припаюють до підкладки. При поєднанні тих і інших елементів утворюється мікросхема, яка називається гібридною. В даній роботі на ГІМС будуть такі елементи: два конденсатори, три резистора і навісна мікросхема 740 УД5-1.
Електрична принципова схема по вказаному завданню на форматі А4-схема і перелік елементів схеми. Відстань таблиці переліку від верхньої рамки не регламентовано, тому можна витягнути схему на всю довжину листа, якщо треба, а таблицю змістити вниз.
Відстань між умовними позначеннями не потрібно занадто збільшувати, розміщення елементів повинно визначатись зручністю читання схеми, їх можна креслити з поворотом на кути кратні 900 . Електричні зв’язки між елементами зображують найкоротшими лініями мінімальною кількістю перетинів, на відстані не менше 3 мм одне від одного. Входи, виходи та контакти розташовують справа і зліва. Порядок запису в перелік елементів схеми, спочатку резистори, потім інші елементи в алфавітному порядку умовних позначень.