Курсовая работа: Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем

a) Розрахуємо ширину b резисторів за формулою [4]:

, (2.4)

;

б) Визначимо довжину резисторів за формулою [3]:

, (2.5)

в) Тепер розрахуємо площу резисторів [2]:

.

Розрахуємо геометричні розміри конденсаторів C1, С2

Розрахуємо площу конденсатора С1, він буде плівковим

(2.6)

де С0питома ємність

Для того щоб знайти питому ємність С0 підберемо матеріал діелектрика. Виберемо моноокис кремнію в таблиці основних електричних і експлуатаційних властивостей плівкових конденсаторів [5]. Випишемо його параметри ε=5 (діелектрична проникність діелектрика), tgδ=0,03 (тангенс кута втрат), Eпр= 2* В/см (напруженість електричноо поля)

З формули пробивної напруги знайдемо товщину конденсатора

Епр= => d= (2.7)

d= =7.5

Далі знайдемо питому ємність конденсатора

С0=0.0885 (ε/d) (2.8)

C0=0.0885(5/7.5)=59 (пФ/)

Підставимо знайдену питому ємність у формулу (1.6) та знайдемо його площу

S= =3.7

Розрахуємо площу навісного конденсатора С2

.

Розрахуємо площу мікросхеми D1

2.3 Розрахунок орієнтовної площі плати та вибір її типорозміру

Розрахуємо орієнтовану площу плати.

Для визначення мінімально допустимої площі плати ГІМС, необхідно провести площі під кожний вид плівкових і навісних елементів: резисторів, конденсаторів, контактних площадок, дискретних компонентів. Площу плати визначають по формулі:

(2.9)

Для цього: